Samsung Electronics: Comenzará la producción en masa de HBM4E de séptima generación en la primera mitad del próximo año.

Samsung Electronics: "Producción en masa de la séptima generación de HBM4E comenzará en el primer semestre del próximo año, el negocio de fundición de semiconductores logra un crecimiento de dos dígitos"Los ingresos de Samsung Electronics por HBM4 en el tercer trimestre aumentaron a más de tres veces los del trimestre anterior. El próximo punto de observación es si la expansión de los productos actuales puede mantenerse hasta la producción en masa de HBM4E en 2027 y el crecimiento del negocio de fundición de semiconductores.HBM es una memoria de alto ancho de banda utilizada en aceleradores de IA. Samsung Electronics afirmó que en mayo de este año ya envió a clientes muestras de HBM4E de 12 capas y ahora ha presentado el plan de comenzar la producción en masa en el primer semestre de 2027 e incrementar el volumen en la segunda mitad del año. El precio medio de venta de DRAM en el tercer trimestre subió un 20% respecto al trimestre anterior y NAND aumentó un 10%.El negocio de fundición de semiconductores está relacionado con los ingresos de los chips de computación bajo HBM, es decir, los bare die de base. Samsung Electronics prevé que en el cuarto trimestre los ingresos por fundición de semiconductores logren un crecimiento intertrimestral e interanual de dos dígitos. Según los datos financieros de la empresa, en el tercer trimestre la división de negocios de móviles y redes registró unas pérdidas operativas de 600 mil millones de wones, y la división de productos terminados aún enfrenta presiones de costes.El calendario de producción en masa y el crecimiento de la fundición de semiconductores forman parte del plan de la empresa y no de los resultados ya alcanzados. Es necesario prestar atención a la certificación de clientes para HBM4E y los envíos reales, así como determinar si el aumento de volumen puede traducirse en rentabilidad.