¡La competencia por HBM se intensifica! Samsung planea ampliar la capacidad de producción de procesos de 4 nanómetros, aumentando la presión competitiva sobre SK Hynix (SKHY.US) y Micron (MU.US).

Según informó el portal de noticias financieras Zhitong Finance APP, Samsung Electronics se está preparando para ampliar su capacidad de fabricación avanzada, ya que la demanda de la próxima generación de chips de memoria se está disparando y está llevando su línea de producción de 4 nanómetros a operar a plena capacidad.

Esta medida podría intensificar la competencia con SK Hynix (SKHY.US) y Micron (MU.US), ya que los tres gigantes de la memoria luchan por una cuota de mercado en el floreciente sector de chips de IA.

Samsung amplía la capacidad de memoria

Según medios surcoreanos, Samsung está considerando aumentar su capacidad de producción de obleas de 4 nanómetros para respaldar la fabricación de obleas base de HBM4. La oblea base es el nivel lógico situado bajo la pila de DRAM, que conecta la memoria con el acelerador de IA.

A diferencia de SK Hynix, que utiliza el proceso de 12 nanómetros de TSMC para fabricar la oblea base de HBM4, Samsung emplea su propio proceso de 4 nanómetros para producir este componente internamente.

Samsung ya ha asignado más de la mitad de su capacidad actual de 4 nanómetros a la producción de obleas base de HBM4. También hay demanda por parte de otros clientes, incluido el Groq 3 LPU de NVIDIA, lo que ha llevado a Samsung a aumentar los precios de los nuevos pedidos de 4 nanómetros.

Se intensifica la competencia por la HBM

Esta ampliación de la producción coincide con la aceleración de Samsung en la escalada de capacidad de HBM4. La empresa prevé que los ingresos por HBM4 crecerán más del triple en el tercer trimestre respecto al anterior, y que HBM4 representará más del 60% de los ingresos totales por HBM en la segunda mitad del año.

El crecimiento de Samsung ya está reconfigurando el panorama competitivo. Según datos de Counterpoint, la cuota de ingresos de Samsung en HBM pasó del 21% en el primer trimestre al 33% en el segundo trimestre, mientras que SK Hynix tiene el 50% y Micron el 18%.

La compañía también está considerando construir una nueva línea de producción de 2 nanómetros para HBM5, esperando que la oblea base de HBM5 utilice tecnología de 2 nanómetros. Esto podría reforzar aún más el enfoque de integración vertical de Samsung, combinando memoria, fabricación lógica y empaquetado avanzado.

Presión para SK Hynix y Micron

Para SK Hynix y Micron, justo cuando el gasto en infraestructura de IA impulsa la demanda de memoria de gran ancho de banda a niveles sin precedentes, la rápida escalada de Samsung en HBM4 representa un nuevo reto competitivo.

En junio de este año, Samsung fue el primer proveedor en completar la validación de HBM4 e iniciar los envíos, mientras que SK Hynix enfrenta retrasos en la certificación y Micron sigue centrado en HBM3E.

Citi prevé que la demanda global de bits HBM crecerá un 62% el próximo año, lo que podría poner al sector en una situación de escasez de oferta. Esto significa que la expansión de capacidad de Samsung podría permitirle captar una mayor cuota en este mercado de rápido crecimiento.