L’AI che “apprende continuamente” estenderà la domanda di memoria superiore all’offerta fino al 2031?

L’avanzamento strutturale nella capacità di memoria dell’AI sta spingendo il mercato globale della memoria verso un ciclo di carenza di offerta che durerà diversi anni.

Secondo quanto riportato da "Piattaforma di Trading Feng", Citi ha dichiarato nel rapporto del 14 settembre che, mentre l’AI sta passando dalla semplice fase di training e inferenza verso l’era dell’"apprendimento continuo", la domanda di HBM, DDR5 per server e SSD aziendali (eSSD) registrerà una crescita esplosiva e simultanea a partire dal 2027. Citi prevede che il rapporto domanda/offerta (S/D ratio) della DRAM si deteriorerà rispettivamente a -8,7% e -9,7% nel 2027 e 2028, mentre quello della NAND scenderà a -6,1% e -5,5% nello stesso periodo, con uno squilibrio di mercato che probabilmente si estenderà fino al 2031.

Con la domanda in rapido aumento, la capacità di offerta è ostacolata dall’occupazione produttiva di HBM e dal rallentamento della migrazione tecnologica, portando i ritmi di espansione molto al di sotto della domanda. Citi prevede quindi che gli investimenti di capitale globali per la memoria nel 2027 aumenteranno su base annua del 46,5% raggiungendo 80,4 miliardi di dollari, ma, a causa dei lunghi tempi di costruzione degli impianti, nemmeno investimenti su larga scala riusciranno a colmare il gap tra domanda e offerta.

Citi Research sottolinea che l’"apprendimento continuo" (Continual Learning) sarà il tema centrale nel campo dell’AI nei prossimi cinque anni. A differenza dell’attuale modello AI che cristallizza i parametri dopo l’addestramento, l’apprendimento continuo consente al modello di assorbire costantemente nuova conoscenza in funzionamento, mantenendo al contempo le informazioni apprese in precedenza.

Il fulcro di questo metodo consiste nel bilanciare l’apprendimento di nuove conoscenze con la prevenzione della "catastrofica dimenticanza". A questo scopo, i sistemi AI richiedono aggiornamenti continui dei modelli, mantenendo un accesso efficiente ai dati storici—entrambe le esigenze aumentano in modo significativo i requisiti di memoria.

Dall’evoluzione dei carichi di lavoro AI, il periodo tra il 2022 e la prima metà del 2025 sarà dominato dal ciclo di addestramento, con forte domanda di HBM, mentre DRAM e NAND tradizionali avranno una crescita piatta; dalla seconda metà del 2025, la maggiore complessità delle inferenze farà salire rapidamente la domanda di DDR5 per server e eSSD, mentre l’interesse per HBM calerà leggermente.

Citi ritiene che dal 2027 inizierà la prima fase dell’apprendimento continuo, con una domanda in espansione simultanea per HBM, DRAM per server, SoCAMM2 ed eSSD; entro la seconda metà del 2028, con lo sviluppo di AI individuale e AI fisica (Physical AI), la domanda si estenderà ulteriormente alle memorie per edge device.

È importante notare che la crescita nell’utilizzo mensile dei token AI mostra una curva esponenziale quasi perfetta, con un tasso di crescita mensile composto del 31% e un tasso annuo del 2434% nell’agosto 2026, fornendo una solida base alla continua e forte richiesta globale di memoria.

Citi fornisce una chiara spiegazione al fenomeno di "de-specifica" dell’HBM recentemente osservato nel settore: si tratta di un’ottimizzazione dell’efficienza delle risorse da parte dei produttori di chip AI di fronte ai limiti dell’offerta di HBM, e non di un segnale di indebolimento della domanda finale.

Citi prevede che la domanda di bit HBM aumenterà nel 2027 del 62% rispetto all’anno precedente, fino a 75,157 miliardi di Gb, e salirà ulteriormente del 69% nel 2028, raggiungendo 126,990 miliardi di Gb—il doppio delle precedenti previsioni. I driver della domanda includono non solo Nvidia, ma anche Broadcom, Google e altri produttori di ASIC—tra cui la richiesta di HBM di Broadcom salirà da 9,002 miliardi di Gb nel 2026 a 41,003 miliardi di Gb nel 2028, e quella di Google da 4,702 miliardi a 14,003 miliardi di Gb nello stesso periodo.

Lato offerta, Citi prevede che la capacità HBM (misurata sulla base del packaging TSV) espanderà da 420.000 wafer/mese nel 2026 a 700.000 wafer/mese entro il 2027. Tuttavia, il gap di domanda/offerta rimarrà elevato: il rapporto S/D per HBM sarà del -21% nel 2027, essenzialmente invariato rispetto al -22% del 2026, e peggiorerà ulteriormente al -36% nel 2028 a causa dell’accelerazione delle spedizioni di ASIC.

Citi ritiene che la de-specifica sia in sostanza una scelta pragmatica dei produttori di chip per massimizzare le spedizioni degli acceleratori con offerta HBM limitata, e non dovrebbe essere interpretata come una riduzione della domanda.

Citi prevede che la domanda globale di DRAM nel 2027 aumenterà del 30,2% rispetto all’anno precedente, mentre la crescita dell’offerta sarà solo del 18,8%; il rapporto domanda/offerta passerà da +0,5% nel 2026 a -8,7% nel 2027, e peggiorerà ulteriormente a -9,7% nel 2028.

Dal lato della domanda, la crescita delle DRAM per server, trainata dall’apprendimento continuo, sarà particolarmente rilevante. Citi prevede che la domanda di DRAM per server salirà da 226,3 miliardi (equivalenti 1Gb) nel 2026 a 341,7 miliardi nel 2027 (+51% a/a), continuando a rappresentare circa il 67% della domanda totale di DRAM. Al contrario, la domanda per PC rimarrà stabile, mentre quella per smartphone vedrà una ripresa moderata.

Lato offerta, i vincoli sono altrettanto chiari: da un lato, la capacità produttiva occupata da HBM continuerà a comprimere quella della DRAM generica, che si prevede crescerà solo dell’8% circa fino a 2,295 milioni di wafer/mese nel 2027; dall’altro, il rallentamento nella migrazione dei nodi tecnologici limita la crescita della produzione per wafer; inoltre, la lunga tempistica dalla progettazione alla produzione per i nuovi impianti implica che, anche con investimenti più rapidi, la risposta dell’offerta sarà sempre in ritardo.

Citi prevede che il prezzo medio misto delle DRAM aumenterà del 23,1% nel 2027, proseguendo la tendenza al rialzo dopo l’anomala crescita del 242,4% nel 2026, anche se l’aumento tenderà a normalizzarsi.

Anche il mercato della NAND deve affrontare una significativa restrizione strutturale. Citi prevede che la domanda di NAND aumenterà del 29,1% nel 2027 rispetto all’anno precedente, mentre la crescita dell’offerta si attesterà solo al 21,2%; il rapporto S/D scenderà dal -0,8% del 2026 al -6,1% del 2027, mantenendosi al -5,5% anche nel 2028.

eSSD rappresenta il principale motore della domanda per NAND. Citi prevede che la richiesta di eSSD salirà del 52,9% su base annua nel 2027 (45,0% per gli SSD nel complesso), con tre logiche principali: primo, la minor quantità di HBM per acceleratore fa migrare più carichi di KV Cache verso storage esterno; secondo, la complessità crescente dei carichi inferenziali AI favorisce la diffusione di QLC eSSD ad alta capacità nei server AI; terzo, il trend di offload della KV Cache di Nvidia e quello dei data center AI in Cina che sostituiscono gli HDD con SSD, generano ulteriori spazi di crescita per la domanda.

Sul fronte dell’offerta i vincoli restano evidenti. Citi stima che la capacità produttiva media di wafer NAND crescerà solo del 3,2% fino a 1,46 milioni di wafer/mese nel 2027, con Samsung Electronics che addirittura prevedrebbe un calo del 4,7%, mentre SK Hynix e Micron manterranno livelli stabili. La ragione principale risiede nel fatto che i produttori stanno spostando sempre più risorse verso espansioni greenfield di DRAM/HBM, mantenendo un approccio cauto sugli investimenti incrementali in NAND.

Per quanto riguarda i prezzi NAND, Citi prevede che il prezzo medio misto aumenterà del 45,3% nel 2027 rispetto all’anno precedente, mantenendo la tendenza rialzista del 236,2% nel 2026, sebbene con un ritmo più moderato.

Citi prevede che gli investimenti di capitale globali nella memoria (DRAM+NAND) raggiungeranno 80,4 miliardi di dollari nel 2027, con un incremento del 46,5% su base annua rispetto ai 54,9 miliardi del 2026.

Gli investimenti in DRAM sono previsti in crescita del 51,6% su base annua a 58,6 miliardi di dollari, guidati da Samsung Electronics (20,6 miliardi), SK Hynix (17,5 miliardi) e Micron (15,8 miliardi). Tuttavia, Citi sottolinea che una parte significativa dei nuovi investimenti in DRAM sarà comunque destinata all’espansione della capacità HBM e DRAM avanzata, con un effetto di sollievo limitato sull’offerta di DRAM generica.

La spesa di capitale NAND salirà del 34,2% a 21,8 miliardi di dollari, con Samsung Electronics che dovrebbe investire 7,9 miliardi, Kioxia 3,7 miliardi, SK Hynix 3,1 miliardi, Sandisk 2,9 miliardi e Micron 2,1 miliardi.

Citi osserva che, sebbene il livello degli investimenti salga fortemente, i lunghi tempi di costruzione delle nuove capacità greenfield rendono tale crescita insufficiente a colmare il gap tra domanda e offerta del 2027. Sulla base di ciò, Citi estende la previsione di squilibrio tra domanda e offerta a livello globale della memoria fino al 2031 e ritiene che l’apprendimento continuo e l’adozione su larga scala di AI individuale/fisica saranno i pilastri di questa carenza strutturale di offerta di lungo periodo.