La competizione per gli HBM si intensifica! Samsung prevede di ampliare la capacità produttiva dei processi a 4 nanometri, mentre SK Hynix (SKHY.US) e Micron (MU.US) affrontano una crescente pressione competitiva.

Secondo quanto riportato da Jinse Finance APP, Samsung Electronics si sta preparando ad ampliare la propria capacità produttiva avanzata nel settore della fonderia, poiché la domanda per la prossima generazione di chip di memoria sta crescendo rapidamente e sta portando la sua linea di produzione a 4 nanometri a una piena capacità operativa.

Questa mossa potrebbe intensificare la competizione con SK Hynix (SKHY.US) e Micron (MU.US): i tre colossi della memoria stanno infatti lottando per conquistare quote in un mercato dei chip AI in forte espansione.

Samsung espande la capacità produttiva di memoria

I media sudcoreani riportano che Samsung sta valutando di ampliare la capacità produttiva dei wafer a 4 nanometri per supportare la produzione dei bare die di base HBM4. Questi bare die di base sono posizionati sotto lo stack DRAM e collegano la memoria all’acceleratore AI come livello logico.

A differenza di SK Hynix che utilizza il processo a 12 nanometri di TSMC per realizzare i bare die di base di HBM4, Samsung sta producendo internamente questo componente con il proprio processo a 4 nanometri.

Samsung ha già destinato oltre la metà della sua attuale capacità a 4 nanometri alla produzione dei bare die di base HBM4. La domanda proviene anche da altri clienti, tra cui il Groq 3 LPU di NVIDIA, portando Samsung ad aumentare i prezzi dei nuovi ordini a 4 nanometri.

Competizione sempre più intensa nella corsa all’HBM

L’espansione della produzione arriva proprio mentre Samsung accelera il ramp-up della capacità produttiva di HBM4. L’azienda prevede che i ricavi di HBM4 cresceranno di oltre tre volte nel terzo trimestre rispetto al trimestre precedente, e che HBM4 rappresenterà oltre il 60% dei ricavi totali HBM nella seconda metà dell’anno.

La crescita di Samsung sta già rimodellando il panorama competitivo. Secondo Counterpoint, la quota di ricavi HBM di Samsung è salita dal 21% nel primo trimestre al 33% nel secondo trimestre, mentre SK Hynix detiene il 50% e Micron il 18%.

L’azienda sta inoltre valutando la costruzione di una nuova linea di produzione a 2 nanometri per HBM5, prevedendo che i bare die di base per HBM5 adotteranno il processo a 2 nanometri. Questo rafforzerebbe ulteriormente il percorso di integrazione verticale di Samsung, che unisce produzione di memoria, logica e packaging avanzato.

Pressione su SK Hynix e Micron

Per SK Hynix e Micron, l’accelerazione della crescita di HBM4 da parte di Samsung rappresenta un’ulteriore sfida proprio quando la spesa per le infrastrutture AI genera una domanda di memoria ad ampia larghezza di banda senza precedenti.

Nel giugno di quest’anno, Samsung è stato il primo fornitore a completare la validazione dell’HBM4 e ad avviare le spedizioni, mentre SK Hynix sta affrontando ritardi nella certificazione e Micron è ancora più concentrato sull’HBM3E.

Citigroup prevede che il prossimo anno la domanda globale di bit HBM crescerà del 62%, il che potrebbe portare il settore a una situazione di scarsità di offerta. Questo significa che l’espansione della capacità produttiva di Samsung potrebbe consentirle di conquistare una quota ancora maggiore in un mercato in rapida crescita.