報道によると、SK海力士はTSMCの3nmプロセスを採用してHBM4Eロジックチップの製造を検討している

格隆汇2026/03/26 07:49

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格隆汇3月26日｜台湾の電子時報によると、SK海力士は第7世代の高帯域幅メモリ（HBM4E）のロジックチップにTSMCの3nmプロセスを採用するかどうかを積極的に検討しており、これによってSamsung Electronicsとの性能差を縮めたいと考えている。しかし、業界のアナリストは、大量生産のスケジュールやコストの問題がSK海力士の3nm計画に大きなリスクをもたらす可能性があると警告している。

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