サムスンがASMLと協力し、高NA EUVリソグラフィ技術を開発

```htmlソウル経済日報によると、Samsung Electronicsは世界最大のフォトリソグラフィ機器メーカーであるASMLと共同で高数値開口比（High-NA）極端紫外線（EUV）リソグラフィ技術を開発する予定です。Samsungは業界標準の転換を目指すプロジェクトに参加しており、1980年代から使用されてきた6インチのフォトマスクから12インチのバージョンへの移行を推進し、高NA EUV装置を基盤としたDRAMの量産体制を先駆けて確立しようとしています。Samsungは2028年から高NA EUV装置をDRAM生産に導入し、さらにこの技術を1.4ナノメートルの先進ロジックプロセスにも拡大して、ウエハー受託生産事業の発展を目指しています。フォトマスクのサイズ拡大はEUV技術の制約を補うことを目的としています。高NA EUVは、従来のEUVよりも数値開口比が66%高く、より微細な回路パターンの形成が可能です。現在使用されている6インチフォトマスクを12インチに置き換えることで、ウエハーファブの生産効率向上やチップ製造コストの低減が期待されています。```