報道：Samsungは来年HBM4/HBM4Eの生産量を倍増させる可能性があり、製品の割合は40%から80%に上昇するとみられる

サムスン電子は次世代高帯域幅メモリに大規模に注力しており、AIストレージチップの競争において高付加価値製品への全面的なシフトを進めています。

ソウル経済日報の報道によると、サムスン電子はHBM製造プロセスに不可欠な「ガラスサブストレート」の外部委託クリーニング量を、今年の月間2万枚から来年は月間5万枚へと2.5倍に引き上げる計画です。業界関係者によれば、HBM4およびHBM4Eの実際の生産量は来年、今年と比較して少なくとも2倍になるとの見方が強まっています。同時に、サムスンのHBM全体の月間投入枚数も今年の約18万枚から来年は約25万枚へと拡大し、増加率は約40％に達する見通しです。

生産量拡大の背景には、高世代製品への戦略的集中があります。HBM4Eの量産が本格化するにつれ、HBM4シリーズがHBM全体出荷に占める割合は今年の約40％から来年には約80％へと大幅に上昇する見込みです。こうした構造変化は、サムスンがより多くの生産能力を高利益製品へ傾斜させることを意味します。

ガラスサブストレートはHBM製造工程における重要な消耗材です。DRAMウェハーの研磨・薄化および貫通穴加工の過程で、ガラスサブストレートがウェハーの背面に貼り付けられ、反りや破損を防ぎます。

HBMは限られた厚みの中に多数のDRAMチップを積層する必要があるため、積層数の増加とともにウェハーの薄化技術および反り制御技術の重要性が高まります。サムスンが重点的に増産するHBM4とHBM4Eは、いずれも12層以上の高積層製品が中核であり、ガラスサブストレートへの技術的要件が一層厳しくなっています。

ソウル経済日報の報道によると、サムスンのガラスサブストレート月間需要は昨年の1万枚から今年は2万枚、来年には5万枚まで拡大する見通しです。業界アナリストは、ガラスサブストレートは洗浄後に再利用でき、また実際の使用量はプロセス投入方式や歩留まりによって異なるものの、2.5倍の需要増加はHBM4シリーズの生産量が2倍以上になるという期待を強く示唆していると指摘しています。

量産の進捗に関しては、サムスンは今年2月にHBM4の量産出荷を開始しました。この製品は10ナノ世代第6世代（1c）DRAMおよび4ナノプロセスによるベースダイを採用しています。今年5月にはサムスンはNVIDIAなどの顧客にHBM4E 12層バージョンのサンプルも提供しました。

業界では、HBM4Eが来年本格量産段階に入ることで、HBM4シリーズがサムスンHBM全体出荷に占める割合が今年の約40％から約80％へと大幅上昇すると見込まれています。ある業界関係者は「サムスンはHBM生産量拡大と同時に、高付加価値製品であるHBM4を核心位置に置いているようだ」と話しています。

この製品構成の変化は、サムスンのHBM事業全体の収益性を直接引き上げ、AIアクセラレータ向けメモリ市場における競争地位も強化するでしょう。

今回のサムスンの増産は、上流サプライチェーンに明確な波及をもたらしています。ガラスサブストレートの外部委託クリーニング量は2年で月間1万枚から5万枚へと5倍拡大し、関連サプライヤーの受注規模も同時に大きく拡大しています。

業界動向を見ると、HBMの積層数が初期の8層・12層からさらに多層化することで、ウェハーの薄化や支援技術が全体製造プロセスにおいてボトルネック化しています。ガラスサブストレート需要の急速な増加は、サムスンの生産能力拡大の直接的な反映であるのみならず、高積層HBMプロセスの複雑化による材料消費強度の上昇も示しています。