米国株式市場の動き：Navitas Semiconductorが9月29日に大幅上昇、10kVプロジェクトおよびSiCチップが要因

ナノマイクロ半導体 9月29日の大幅上昇解説

キーワード：10kVプロジェクト、SiCチップ

1、9月28日、同社はALATTISプロジェクトの受託を発表し、次世代10kVシリコンカーバイド（SiC）パワー半導体技術を開発し、設計・製造・テストを通じて超高圧SiCデバイスの製造プロセスを開発・検証することとなりました。

2、9月28日、同社は次世代GaNFast窒化ガリウムおよびGeneSiCシリコンカーバイドパワー半導体の主力事業を開示し、本プロジェクトの評価は、同社の超高圧SiC技術および製造サプライチェーンにおける能力を認めるものでした。

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