サムスンはTSMCの3ナノメートルプロセスでNVIDIAカスタムHBM基底ダイを製造する予定です。

《ソウル経済日報》が日曜日に報じたところによると、Samsung ElectronicsはTSMCの3ナノメートルプロセスを採用し、NVIDIAの次世代カスタムHBMチップ用の基板ダイを製造する予定です。この動きは、HBM製造段階でSamsungがTSMCと初めて協業することを意味します。同紙が業界関係者の話として伝えたところによれば、NVIDIAはSamsung、SK hynix、およびMicron Technologyに対し、TSMCのプロセスを用いてNVHBM基板ダイを製造し、コアチップには第六世代DRAM技術を採用するよう要請したとのことです。同社によると、今年8月に発表されるNVHBMは、NVIDIAのカスタムメモリコントローラーを基板に統合し、複数のメモリサプライヤー間での標準化実装を実現することを目的としています。ソウル経済日報によれば、Samsungは社内評価の結果、NVIDIAの要請を受け入れましたが、標準HBMや他の顧客向けカスタム製品については引き続き自主生産方式を採用する予定です。同紙が関係者の話として伝えたところによれば、Samsungはさらに、需要がTSMCの生産能力を上回った場合に、自社ファウンドリーでNVHBM基板ダイを生産できるかどうかも評価しています。