SpaceX spada o 1,4% przed otwarciem giełdy; według doniesień firma stara się o finansowanie w wysokości 40 miliardów dolarów na zakup chipów Nvidia

Według Korea Economic Daily, potwierdzono, że najnowsza generacja pamięci o wysokiej przepustowości „12-warstwowy HBM4E” firmy Samsung Electronics przeszła weryfikację jakości przez Nvidia oraz głównych operatorów hyperskalowych centrów danych. Test ten polega na sprawdzeniu produktu zgodnie ze standardami wymaganymi przez klientów. Obecnie potwierdzono jedynie, iż produkt przeszedł testy jakościowe; nie można jeszcze potwierdzić liczby dostaw dla poszczególnych klientów, wielkości kontraktów ani daty rozpoczęcia produkcji seryjnej. Według analityków branżowych, wraz z przejściem rynku na nową generację produktów, Samsung może wcześniej zwiększyć swoje szanse zaopatrzenia na rynku wysokowydajnych pamięci AI, konkurując ze SK Hynix i Micron.

Międzynarodowy Fundusz Walutowy, Georgieva: Efekty uboczne dotyczą również krajów, które wcześniej otrzymały pomoc w euro.

Według informacji z Jinse Finance, w dniu 6 października czasu wschodniego USA, Marvell Technology (MRVL.US) zorganizował w Nowym Jorku Dzień Inwestora, podczas którego kierownictwo firmy przedstawiło długoterminowe cele „wyższe od zgodnych prognoz Wall Street”. Jednak Goldman Sachs stwierdził, że wycena już uwzględnia większość optymistycznych nastrojów w cenie akcji. Bank podwyższył swoją cenę docelową z 220 dolarów na 270 dolarów, utrzymując jednocześnie rekomendację „neutralną”.

Według Korea Economic Daily: Następna generacja wysokoprzepustowej pamięci „12-warstwowy HBM4E” firmy Samsung Electronics przeszła testy jakości od NVIDIA oraz głównych operatorów hiper-skalowych centrów danych.