Samsung Electronics: uruchomi produkcję masową siódmej generacji HBM4E w pierwszej połowie przyszłego roku

Samsung Electronics: „Rozpoczęcie masowej produkcji siódmej generacji HBM4E w pierwszej połowie przyszłego roku, biznes foundry osiąga dwucyfrowy wzrost” Przychody Samsung Electronics z HBM4 w trzecim kwartale wzrosły ponad trzykrotnie w porównaniu z poprzednim kwartałem. Kolejnym punktem do obserwacji jest, czy ekspansja obecnych produktów może utrzymać się aż do masowej produkcji HBM4E w 2027 roku oraz wzrostu działalności foundry. HBM to pamięć o wysokiej przepustowości stosowana w akceleratorach AI. Samsung Electronics poinformował, że w maju tego roku dostarczył klientom próbki 12-warstwowego HBM4E; obecnie przedstawiono plan rozpoczęcia masowej produkcji w pierwszej połowie 2027 roku i zwiększenia wolumenu produkcji w drugiej połowie tego roku. W trzecim kwartale średnia cena DRAM wzrosła kwartał do kwartału o 20%, a NAND o 10%. Działalność foundry powiązana jest z przychodami z tzw. bare die bazowych układów obliczeniowych wykorzystywanych pod HBM. Samsung Electronics przewiduje, że przychody z foundry w czwartym kwartale odnotują dwucyfrowy wzrost zarówno kwartał do kwartału, jak i rok do roku. Z danych finansowych spółki wynika, że w trzecim kwartale segment mobilny i sieciowy odnotował stratę operacyjną w wysokości 600 miliardów wonów, natomiast działalność w zakresie produktów końcowych nadal zmaga się z presją kosztową. Harmonogram masowej produkcji i wzrost foundry stanowią plan spółki i nie są jeszcze osiągniętymi rezultatami. Kluczowe jest monitorowanie certyfikacji klientów HBM4E, faktycznych dostaw oraz tego, czy zwiększenie wolumenu produkcji przełoży się na rentowność.