Конкуренція за HBM посилюється! Samsung планує розширити виробничі потужності 4-нанометрового процесу, конкуренція з боку SK hynix (SKHY.US) і Micron (MU.US) різко зростає

За даними додатку Zhito Finance, Samsung Electronics готується розширити свої потужності з виробництва передової продукції на замовлення, оскільки попит на чипи пам'яті нового покоління стрімко зростає, і зараз компанія максимально завантажує свою 4-нанометрову виробничу лінію.

Цей крок може посилити конкуренцію з SK Hynix (SKHY.US) і Micron (MU.US) — три великі гравці ринку пам’яті змагаються за частку на динамічному ринку AI-чипів.

Розширення виробничих потужностей пам'яті Samsung

Корейські медіа повідомляють, що Samsung розглядає можливість розширення виробництва 4-нанометрових пластин для підтримки виробництва базових пластин (base die) HBM4. Базова пластина міститься під стеком DRAM і слугує логічним рівнем, який з’єднує пам’ять із AI-акселераторами.

На відміну від SK Hynix, яка використовує 12-нанометровий процес TSMC для виготовлення базових пластин HBM4, Samsung виробляє цей компонент самостійно, використовуючи власний 4-нанометровий процес.

Samsung вже виділила більше половини своїх поточних 4-нанометрових потужностей для виробництва базових пластин HBM4. Попит надходить і від інших замовників, зокрема на Groq 3 LPU від Nvidia, що змусило Samsung підвищити ціни на нові замовлення 4-нанометрових чипів.

Посилення конкуренції у сегменті HBM

Розширення виробничих потужностей відбувається на тлі прискорення зростання Samsung у сегменті HBM4. Компанія очікує, що доходи від HBM4 у третьому кварталі зростуть більш ніж утричі порівняно з попереднім кварталом, а у другій половині року HBM4 забезпечить понад 60% загальних доходів компанії від HBM.

Зростання Samsung вже змінює структуру ринку. За даними Counterpoint, частка Samsung у доходах від HBM зросла з 21% у першому кварталі до 33% у другому кварталі, тоді як SK Hynix володіє 50%, а Micron — 18%.

Компанія також розглядає можливість створення нової 2-нанометрової виробничої лінії для HBM5, очікується, що базова пластина HBM5 буде виготовлятися із застосуванням 2-нанометрового процесу. Це може ще більше посилити вертикальну інтеграцію Samsung, об’єднавши виробництво пам’яті, логіки та передових типів упаковки.

Тиск на SK Hynix та Micron

Для SK Hynix і Micron більш швидке нарощування обсягів виробництва HBM4 компанією Samsung стало додатковим конкурентним викликом, саме в той час, коли витрати на AI-інфраструктуру підштовхують попит на пам’ять із високою пропускною здатністю до небачених раніше рівнів.

У червні цього року Samsung стала першим постачальником, який завершив валідацію HBM4 та розпочав відвантаження, тоді як SK Hynix стикнулась із затримкою сертифікації, а Micron досі зосереджена на HBM3E.

Citi прогнозує, що наступного року світовий попит на біти HBM зросте на 62%, що може призвести до дефіциту на ринку. Це означає, що розширення виробничих потужностей Samsung потенційно дозволить їй збільшити частку на ринку, який швидко розвивається.