Samsung Electronics: розпочне виробництво HBM4E у першій половині наступного року
Gelonghui, 29 жовтня — Samsung Electronics: у четвертому кварталі зростання обсягу DRAM складе 15-20%. Виробництво HBM4E розпочнеться в першій половині наступного року.
Відмова від відповідальності: зміст цієї статті відображає виключно думку автора і не представляє платформу в будь-якій якості. Ця стаття не повинна бути орієнтиром під час прийняття інвестиційних рішень.
Вас також може зацікавити
Star: чутки про злом однієї біржі є неправдою
Ozzy: атаки StepDrainer поширилися на декілька DeFi проєктів
Річна прибутковість депозитів становить 9,58%, Pendle запускає другий екосистемний сейф на Morpho.
Франція має погіршення фінансових перспектив, Fitch змінила рейтинг на негативний.
Через погіршення стану державних фінансів, включаючи уповільнення зростання, підвищення вартості кредитування та збільшення дефіциту, Fitch Ratings змінив кредитний рейтинг Франції на негативний прогноз.
Ціни на криптовалюти
Більше
