Samsung Electronics: запуск масового виробництва сьомого покоління HBM4E у першій половині наступного року

Samsung Electronics: «В першій половині наступного року розпочнеться масове виробництво сьомого покоління HBM4E, підрозділ контрактного виробництва чипів демонструє двозначне зростання» Третій квартал приніс Samsung Electronics дохід від HBM4 у понад три рази більший, ніж у попередньому кварталі. Наступним ключовим моментом для спостереження є те, чи зможе зростання поточних продуктів продовжитися до 2027 року — коли розпочнеться масове виробництво HBM4E та зростання бізнесу контрактного виробництва чипів.

HBM — це високошвидкісна пам’ять для AI-акселераторів. Samsung Electronics зазначила, що у травні цього року вже відправила клієнтам 12-шарові зразки HBM4E; компанія планує розпочати масове виробництво у першій половині 2027 року та збільшити об’єми у другій половині того ж року. У третьому кварталі середня ціна DRAM зросла на 20% квартал до кварталу, а NAND — на 10%.

Доходи підрозділу контрактного виробництва чипів пов’язані з обчислювальними чипами під HBM, так званими субстратними кристалами. Samsung Electronics очікує, що у четвертому кварталі доходи від контрактного виробництва чипів зростуть на двозначний відсоток як у порівнянні з попереднім кварталом, так і у порівнянні з аналогічним періодом минулого року. За даними компанії, підрозділ мобільних і мережевих технологій у третьому кварталі зазнав операційних збитків у розмірі 600 мільярдів корейських вон, а продуктова діяльність і надалі зазнає тиску витрат.

Графік масового виробництва та зростання контрактного виробництва чипів є частиною планів компанії, а не досягнутого результату. Необхідно уважно стежити за сертифікацією клієнтів для HBM4E та фактичними поставками, а також за тим, чи трансформується збільшення виробництва у прибутковість.