HBM bo‘yicha raqobat kuchaymoqda! Samsung 4 nanometrli ishlab chiqarish quvvatini kengaytirishni rejalashtirmoqda, SK Hynix (SKHY.US) va Micron (MU.US) raqobat bosimi ancha oshadi

Smart Finance APP ma’lumotlariga ko‘ra, Samsung Electronics ilg‘or outsourcing quvvatlarini kengaytirishga tayyorlanmoqda, chunki keyingi avlod xotira chiplariga talab keskin oshmoqda va kompaniya o‘zining 4 nanometrli liniyasini to‘liq quvvatda ishlayotgani haqida xabar berdi.

Bu harakat SK hynix (SKHY.US) va Micron (MU.US) bilan raqobatni kuchaytirishi mumkin — uchta yirik xotira ishlab chiqaruvchisi jadal rivojlanayotgan AI chip bozori uchun ulush uchun kurashyapti.

Samsung xotira ishlab chiqarishini kengaytirmoqda

Koreya ommaviy axborot vositalarining xabar berishicha, Samsung HBM4 bazaviy kristallar (base die) ishlab chiqarishni qo‘llab-quvvatlash maqsadida o‘zining 4 nanometrli kristall outsourcing quvvatini kengaytirishni ko‘rib chiqmoqda. Bazaviy kristal — bu DRAM qatlami ostiga joylashgan, xotirani AI tezlatkichiga ulovchi mantiqiy qatlamdir.

SK hynix HBM4 bazaviy kristallarini TSMC ning 12 nanometrli texnologiyasi yordamida ishlab chiqargan bo‘lsa, Samsung ushbu komponentni o‘zining 4 nanometrli texnologiyasida ichki ishlab chiqaradi.

Samsung hozirda o‘zining 4 nanometrli quvvatining yarmidan ko‘prog‘ini HBM4 bazaviy kristal ishlab chiqarishga ajratgan. Talab boshqa mijozlardan, jumladan NVIDIA ning Groq 3 LPU laridan ham kelmoqda, bu esa Samsung yangi 4 nanometrli buyurtmalar narxini oshirishiga sabab bo‘ldi.

HBM raqobati kuchaymoqda

Ushbu kengayish Samsung HBM4 ishlab chiqarish quvvatini tezlashtirayotgani bir paytga to‘g‘ri keldi. Kompaniya HBM4 daromadi uchinchi chorakda ketma-ket ravishda uch barobardan ko‘p o‘sishini va yilning ikkinchi yarmida esa HBM jami daromadining 60% dan ko‘prog‘i HBM4 ulushiga to‘g‘ri kelishini kutmoqda.

Samsung o‘sishi raqobat muhitini yangicha shakllantirmoqda. Counterpoint ma’lumotlariga ko‘ra, Samsung HBM daromad ulushi birinchi chorakdagi 21% dan ikkinchi chorakda 33% ga ko‘tarilgan, SK hynix 50% ni, Micron esa 18% ni tashkil etgan.

Kompaniya, shuningdek, HBM5 uchun yangi 2 nanometrli liniya qurilishini ko‘rib chiqmoqda. Kutilishicha, HBM5 bazaviy kristali 2 nanometrli texnologiyani qo‘llaydi. Bu Samsung’ning vertikal integratsiyalashgan biznes modelini kuchaytirishi va xotira, mantiqiy ishlab chiqarish hamda ilg‘or qadoqlashni birlashtirishi mumkin.

SK hynix va Micron bosim ostida

SK hynix va Micron uchun, AI infratuzilmasiga sarmoyalar yuqori energiyali xotiraga talabni misli ko‘rilmagan darajaga olib chiqayotgan bir paytda, Samsung’ning HBM4 quvvatini tezroq oshirishi ularga yangi raqobat bosimini yuzaga keltiradi.

Joriy yil iyun oyida Samsung birinchi bo‘lib HBM4 ni tasdiqlab chiqardi va yetkazib bera boshladi. SK hynix sertifikatlash kechikishiga duch kelgan, Micron esa hanuz HBM3E ga ko‘proq urg‘u bermoqda.

Citi taxminiga ko‘ra, kelgusi yilda global HBM bit talab 62% ga o‘sadi va butun sohani taklifdan ortiqcha talab holatiga olib keladi. Bu Samsung’ning quvvat kengayishi tez sur’atda o‘sayotgan bozorda undan yanada katta ulush olishiga imkon yaratadi.