AI "liên tục học tập" có thể mở ra chu kỳ lưu trữ mới! Citi: Nhu cầu HBM, bộ nhớ DRAM máy chủ và eSSD cùng tăng, thiếu hụt có thể kéo dài đến năm 2031

Theo ứng dụng tài chính Zhihui, Citi trong báo cáo ngành bán dẫn toàn cầu mới nhất cho biết, khi trí tuệ nhân tạo chuyển từ mô hình huấn luyện và suy luận truyền thống sang thời kỳ “học liên tục”, thị trường chip nhớ toàn cầu có thể đón nhận một đợt tăng trưởng nhu cầu cơ cấu mới. Khác với các mô hình AI hiện tại chủ yếu dựa vào huấn luyện một lần, học liên tục yêu cầu mô hình liên tục tiếp nhận dữ liệu mới, cập nhật tri thức đồng thời giữ lại và gọi lại các thông tin đã học trước đó, điều này đồng nghĩa với HB M, DDR5 máy chủ cũng như doanh nghiệp SSD (eSSD) có thể đồng thời đón nhận sự mở rộng nhu cầu, thúc đẩy tình trạng thiếu hụt cung ứng trên thị trường lưu trữ toàn cầu năm 2028 thêm trầm trọng, thậm chí kéo dài tới năm 2031.

Citi cho rằng, học liên tục sẽ là một trong các chủ đề phát triển AI chủ chốt trong 5 năm tới. Ở mô hình này, mô hình AI không còn chỉ giữ trạng thái tĩnh sau khi huấn luyện mà có thể liên tục huấn luyện bổ sung theo nhiệm vụ, dữ liệu, tri thức mới đồng thời tránh quên đi những thông tin đã học. Quá trình cập nhật mô hình liên tục và truy xuất dữ liệu lịch sử này sẽ làm tăng đáng kể mức tiêu thụ tài nguyên tính toán và lưu trữ của hệ thống AI.

Ngân hàng dự báo rằng, từ năm 2027, nhu cầu lưu trữ phục vụ huấn luyện và suy luận AI có thể cùng lúc tăng tốc. Trong đó, HBM sẽ hưởng lợi từ huấn luyện liên tục và cập nhật mô hình, DDR5 máy chủ và SoCAMM2 hưởng lợi từ khối lượng suy luận AI và tải công việc CPU tăng lên, còn eSSD chịu trách nhiệm lưu trữ lâu dài khối lượng lớn dữ liệu lịch sử và KV Cache.

Trước xu hướng này, Citi chọn Samsung Electronics, SK Hynix (SKHY.US), Micron Technology (MU.US), SanDisk (SNDK.US) và Kioxia là những cổ phiếu ưu tiên trong lĩnh vực lưu trữ; còn về thiết bị và vật liệu bán dẫn, Citi đánh giá tích cực về mont, Applied Materials (AMAT.US), Lam Research (LRCX.US), TES, Eugene Technology và TechWing.

AI bước vào thời đại “học liên tục” - logic nhu cầu lưu trữ đang thay đổi

Citi chỉ ra rằng, các mô hình AI hiện tại có một hạn chế quan trọng: mặc dù mô hình có thể giữ lại tri thức đã học trong quá trình huấn luyện, song không tự động tích hợp các tương tác tiếp theo của người dùng và dữ liệu mới vào tham số mô hình.

Học liên tục tìm cách giải quyết vấn đề này. Mô hình cần tiếp nhận liên tục nhiệm vụ và tri thức mới trong khi giữ lại những gì đã tiếp thu, trong đó thách thức công nghệ lớn nhất là tránh “quên thảm họa”, tức mô hình mất đi năng lực vốn có khi tiếp nhận tri thức mới.

Biến động này có thể định hình lại toàn bộ chuỗi ngành lưu trữ AI.

Từ 2022 - 2024, khi quy mô mô hình huấn luyện AI liên tục phình to, nhu cầu HBM tăng trưởng bùng nổ đầu tiên, trong khi nhu cầu DRAM và NAND truyền thống lại yếu ớt hơn. Tuy nhiên từ nửa cuối 2025, khi nhiệm vụ suy luận AI trở nên phức tạp hơn, nhu cầu DDR5 máy chủ và eSSD sẽ tăng vọt nhanh chóng.

Citi dự báo từ nửa cuối 2027 đến đầu 2028 sẽ là giai đoạn đầu của học liên tục. Trong giai đoạn này, máy chủ AI vừa phải liên tục huấn luyện, cập nhật mô hình, vừa phải thực hiện các nhiệm vụ suy luận ngày càng phức tạp, do đó HBM, DRAM máy chủ, SoCAMM2 và eSSD nhiều khả năng lần đầu tiên sẽ đồng loạt tăng trưởng mạnh về nhu cầu.

Đến nửa cuối 2028, AI cá nhân và AI vật lý (Physical AI) có thể trở thành động lực nhu cầu mới. Khi các ứng dụng như AI biên, quản lý dữ liệu cục bộ, robot... ngày càng phổ biến, thiết bị đầu cuối sẽ cần có bộ nhớ bền và liên tục thích ứng với môi trường xung quanh, khi đó nhu cầu lưu trữ tại chỗ và biên cũng sẽ gia nhập chu kỳ tăng trưởng.

Đáng chú ý, lượng dùng AI Token đã thể hiện đà tăng cực mạnh. Số liệu trang 3 báo cáo cho thấy từ tháng 1/2025 đến tháng 8/2026, tốc độ tăng trưởng kép hằng tháng của lượng dùng AI Token khoảng 31%, riêng tháng 8/2026 tăng 2.434% so với cùng kỳ. Citi cho rằng xu hướng này càng củng cố nhận định rằng tải công việc AI và cường độ lưu trữ sẽ tăng dài hạn.

Nhu cầu HBM năm 2027 có thể tăng 62%, năm 2028 tăng tiếp 69%

Trong tất cả các sản phẩm lưu trữ, HBM vẫn là lĩnh vực trực tiếp hưởng lợi lớn nhất từ huấn luyện và học liên tục của AI.

Dù gần đây thị trường lo về việc AI chip giảm cấu hình HBM đồng thời xuất hiện lo ngại vấn đề an toàn AI, Citi cho rằng điều này không có nghĩa nhu cầu HBM bị suy yếu. Ngược lại, các hãng chip AI đang chuyển từ kiến trúc “Scale-up” sang “Scale-out”, tức tăng khả năng tính toán toàn hệ thống qua việc triển khai thêm nhiều bộ tăng tốc, điều này vẫn tiếp tục thúc đẩy nhu cầu HBM ở cấp hệ thống tăng lên.

Citi dự báo nhu cầu HBM tính theo bit năm 2027 sẽ tăng 62% lên 75,2 tỷ Gb, năm 2028 tăng tiếp 69% lên 127 tỷ Gb, gần gấp đôi dự báo trước đó. Ngoài Nvidia, nhu cầu chip ASIC của Broadcom (AVGO.US), Google, v.v. cũng sẽ là động lực tăng trưởng quan trọng.

Quan trọng hơn, ngay cả khi các hãng lưu trữ tích cực mở rộng năng lực sản xuất, nguồn cung HBM vẫn có thể không theo kịp sức cầu.

Citi dự báo nhu cầu HBM năm 2027 sẽ tăng từ 46,4 tỷ đơn vị 1Gb (2026) lên 75,2 tỷ, còn cung tăng từ 36,1 tỷ lên 59,3 tỷ, tương ứng thị trường HBM năm 2027 vẫn thiếu hụt rõ rệt, thiếu khoảng 21%; đến năm 2028, khi xuất xưởng ASIC tiếp tục tăng, mức thiếu hụt này có thể mở rộng thêm đến khoảng 36%.

Do đó Citi cho rằng, việc gọi HBM “giảm cấu hình” gần đây thực chất là động thái tối ưu hóa hiệu suất tài nguyên, tối đa xuất xưởng bộ tăng tốc AI trong bối cảnh nguồn cung hạn chế, chứ không phải tín hiệu cầu yếu đi.

AI suy luận thành động lực tăng trưởng thứ hai, nhu cầu DRAM máy chủ năm 2027 có thể tăng vọt 51%

Nếu HBM hưởng lợi chủ yếu từ huấn luyện AI, thì DRAM máy chủ có thể trở thành bên được hưởng lợi lớn trong quá trình mở rộng suy luận AI và học liên tục.

Citi đánh giá, dưới động lực học liên tục, nhu cầu DRAM máy chủ năm 2027 sẽ tăng hơn 50%, trong khi eSSD cũng có thể tăng xấp xỉ 50%. Khi các nhiệm vụ suy luận AI ngày càng phức tạp, nhu cầu CPU và dung lượng bộ nhớ máy chủ sẽ tiếp tục nâng cao.

Cụ thể hơn, Citi dự báo nhu cầu DRAM máy chủ sẽ tăng từ 226,3 tỷ đơn vị 1Gb năm 2026 lên 341,7 tỷ năm 2027, tăng 51% so với cùng kỳ. Khi đó, máy chủ sẽ chiếm khoảng 67% nhu cầu DRAM toàn cầu, duy trì là thị trường ứng dụng lớn nhất.

Xu thế này có liên hệ với việc giảm cấu hình HBM trên mỗi bộ tăng tốc AI. Khi một phần tải bộ nhớ KV Cache chuyển từ HBM sang DRAM máy chủ hoặc lưu trữ ngoài, nhu cầu DRAM máy chủ lẫn eSSD có thể sẽ càng tăng cao hơn.

Citi chỉ ra các khách hàng lưu trữ đang gia hạn các hợp đồng cung ứng dài hạn (LTA) từ 3 lên 5 năm, cho thấy khả năng dự báo nhu cầu lưu trữ nhiều năm tới của thị trường ngày càng nâng cao.

Nhu cầu eSSD có thể bùng nổ, năm 2027 dự kiến tăng gần 53%

Thị trường NAND cũng có thể trở thành người hưởng lợi lớn thời kỳ học liên tục.

Học liên tục đồng nghĩa với việc mô hình AI không chỉ cần không ngừng tiếp nhận thông tin mới, mà còn phải lưu giữ lượng lớn dữ liệu đã có, từ đó tăng nhu cầu đối với dung lượng lưu trữ lâu dài lớn hơn.

Citi dự báo năm 2027 nhu cầu NAND toàn cầu sẽ tăng trưởng 29,1% so với cùng kỳ, cao hơn mức tăng cung 21,2%. Trong số này, nhu cầu SSD doanh nghiệp dự kiến tăng 52,9% so với cùng kỳ, cao hơn rõ rệt tốc độ tăng toàn SSD (khoảng 45%).

Yếu tố quan trọng thúc đẩy tăng trưởng là việc chuyển tải KV Cache. Khi một số bộ tăng tốc AI giảm cấu hình HBM, ngày càng nhiều KV Cache và các tải bộ nhớ khác có thể chuyển sang lưu trữ ngoài. SSD doanh nghiệp QLC dung lượng cao có triển vọng đón nhận thêm nhiều nhu cầu nhờ xu hướng này.

Citi cho rằng, máy chủ AI đang gia tăng cấu hình lưu trữ gần GPU, áp dụng SSD QLC, cho phép lưu trữ nhiều dữ liệu hơn gần bộ tăng tốc từ đó nâng hiệu suất bộ nhớ mô hình và truy cập dữ liệu.

Bên cạnh đó, nhu cầu NAND tiêu dùng có thể chịu ảnh hưởng từ thị trường điện thoại và PC ảm đạm, nhưng Citi dự báo nhu cầu doanh nghiệp nhờ AI suy luận đủ lớn để bù đắp. Báo cáo cũng cho biết, các trung tâm dữ liệu AI, bao gồm cả Trung Quốc, đang cân nhắc tăng cường sử dụng SSD thay cho HDD, từ 2027 có thể mở rộng thêm đáng kể nhu cầu tiềm năng eSSD.

Chênh lệch cung cầu DRAM năm 2028 có thể nới rộng tới 9,7%, chu kỳ tăng giá có thể kéo dài

Mặt trái của tăng trưởng cầu nhanh là nguồn cung ngành lưu trữ vẫn còn hạn chế.

Citi dự báo nhu cầu DRAM toàn cầu theo bit năm 2027 tăng khoảng 30,2% so với cùng kỳ, vượt nhiều so với tốc độ tăng cung 18,8%, thúc đẩy thị trường chuyển từ trạng thái gần cân bằng năm 2026 sang thiếu hụt (8,7%). Đến năm 2028, thiếu hụt cung ứng dự báo nới rộng lên 9,7%.

Nguyên nhân chủ yếu là do: một mặt Samsung, SK Hynix và Micron phân bổ nhiều công suất DRAM hơn cho HBM, mặt khác tiến trình chuyển công nghệ tiên tiến chậm lại, cộng thêm xây mới xưởng cần thời gian dài, nên nguồn cung thêm bit không thể giải phóng nhanh chóng.

Citi dự báo năng lực sản xuất trung bình DRAM toàn ngành năm 2027 chỉ tăng 8% so với cùng kỳ, cung toàn năm tăng khoảng 18,8%, tức tình trạng khan hiếm có thể kéo dài cả năm.

Cung cầu căng thẳng đồng nghĩa giá cả lưu trữ vẫn giữ ở mức cao.

Citi dự báo, sau khi giá DRAM trung bình tổng hợp tăng vọt 242,4% trong năm 2026, sang năm 2027 giá ASP DRAM vẫn có thể tăng tiếp 23,1% so với cùng kỳ. Dù biên tăng giá dịu lại so với 2026, nhưng nhu cầu cao đối với HBM và DRAM truyền thống vẫn đẩy giá lên cao hơn nữa.

NAND cũng bước vào giai đoạn cung ứng thắt chặt, thiếu hụt có thể kéo dài đến 2031

Áp lực cung ứng thị trường NAND cũng gia tăng.

Citi dự báo nhu cầu NAND năm 2027 sẽ tăng khoảng 29% so với cùng kỳ, trong khi cung chỉ tăng khoảng 21%, tương đương thiếu hụt khoảng 6,1%. Sang năm 2028, nhu cầu tiếp tục tăng 33% trong khi cung tăng 25%, thị trường vẫn tiếp tục rơi vào tình trạng thiếu cung (5,5%).

Nguyên nhân quan trọng là do các công ty lưu trữ toàn cầu hiện ưu tiên mở rộng DRAM, HBM thay vì tăng năng lực sản xuất NAND.

Citi dự báo, dưới tác động của học liên tục, eSSD mật độ cao, Nvidia chuyển tải KV Cache và sau 2028 nhu cầu từ AI cá nhân và AI vật lý, tình trạng căng thẳng cung ứng lưu trữ toàn cầu có thể xấu đi rõ rệt vào năm 2028 và kéo dài tới 2031.

Điều này có nghĩa là chu kỳ lưu trữ hiện tại không còn chỉ do các yếu tố như điện thoại thông minh, PC bổ sung tồn kho truyền thống gây ra, mà ngày càng thể hiện là cầu cấu trúc do thay đổi kiến trúc tính toán AI.

Các nhà sản xuất lưu trữ mở rộng mạnh sản xuất, doanh nghiệp trang thiết bị và vật liệu cùng hưởng lợi

Trước xu hướng cầu tăng kéo dài, các nhà sản xuất lưu trữ đang bắt đầu mạnh tay chi tiêu vốn, điều này cũng khiến cơ hội đầu tư AI lưu trữ lan rộng hơn tới chuỗi thiết bị và vật liệu bán dẫn.

Citi dự báo, chi tiêu vốn toàn cầu cho DRAM và NAND sẽ tăng từ khoảng 54,9 tỷ USD năm 2026 lên 80,4 tỷ USD năm 2027, tăng trưởng 46,5%, trong đó chi tiêu vốn DRAM đạt 58,6 tỷ USD (+51,6%), NAND đạt 21,8 tỷ USD (+34,2%).

Nhìn xa hơn, báo cáo dự báo chi tiêu vốn toàn cầu DRAM và NAND năm 2031 có thể đạt 322,5 tỷ USD, trong đó DRAM là 254 tỷ USD, NAND là 68,5 tỷ USD.

Do đó, Citi cho rằng, vòng thặng dư lưu trữ lần này không chỉ mang lại lợi ích cho các nhà sản xuất chip lưu trữ mà còn lan tỏa dần tới các nhà sản xuất thiết bị và vật liệu ngành bán dẫn.

Trong lĩnh vực lưu trữ, Citi chọn Samsung Electronics, SK Hynix, Micron Technology, SanDisk và Kioxia là ưu tiên đầu tư; đối với thiết bị và vật liệu, Citi đánh giá cao mont, Applied Materials, Lam Research, TES, Eugene Technology và TechWing. Citi cho rằng, khi học liên tục và AI cá nhân phát triển trung-dài hạn thúc đẩy nhu cầu lưu trữ tăng trưởng cơ cấu, các công ty lưu trữ sẽ được hưởng lợi trực tiếp nhờ nguồn cung thiếu kéo dài, còn doanh nghiệp thiết bị, vật liệu hưởng lợi nhờ chi tiêu vốn quy mô lớn và công suất vận hành xưởng bán dẫn cao hơn.