IQE与Tower签署多年期磷化铟供应协议 强化光电与高频通讯布局

格隆汇6月15日｜全球化合物半导体晶圆产品与先进材料解决方案供应商IQE plc与高价值类比半导体代工厂Tower Semiconductor今日共同宣布，双方已签署一项多年期磷化铟(Indium Phosphide，简称InP)磊晶圆(epiwafer)供应协议。此项合作旨在强化双方在光电与高频通讯领域的技术布局，透过整合IQE的材料专业技术与Tower的晶圆代工制造能力，共同满足市场对于先进半导体解决方案日益增长的需求。 IQE与Tower的合作核心，聚焦于磷化铟(InP)材料的广泛应用。磷化铟作为一种关键的化合物半导体材料，具备优异的电子迁移率与光学特性，是制造高速光纤通讯元件、雷射二极体(Laser Diodes)及光侦测器(Photodetectors)不可或缺的基础。透过此次签署的多年期供应协议，IQE将成为Tower在磷化铟磊晶圆领域的重要战略供应商，确保Tower在生产高性能光电元件时，能获得稳定且高品质的材料来源，进而提升其在市场上的竞争优势。 随着全球数据中心·5G通讯基础设施以及人工智能技术的快速演进，市场对于高频宽与低延迟传输的需求呈现爆发式成长。此次双方携手合作，不仅是单纯的供应键整合，更象征着两家公司在技术研发层面的深度对接。IQE将利用其在磊晶技术上的领先地位，为Tower提供客制化的磷化铟解决方案，协助其客户在光通讯与感测应用中，实现更高效能的晶片设计，进一步巩固双方在半导体产业链中的关键地位。