美光全球擴產加速：日本93億美元廣島工廠奠基，AI記憶體產能衝刺2028

BlockBeats消息，7月5日，Micron正全力推動全球產能擴張，以應對AI帶動的HBM、DRAM及NAND記憶體嚴重短缺。公司預計供應緊張狀況將持續至2026年後，新產能自2027年起陸續釋放，整體投資規模龐大。其中：

美國本土重點布局

· 弗吉尼亞州Manassas工廠已於2026年5月實現1α nm製程量產，20億美元擴產項目將DDR4晶圓供貨規模提升4倍，重點供應汽車、國防、工業等領域，獲芯片法案補貼支持。

· 愛達荷州博伊西投資約500億美元建設前沿工廠，已動工興建，首座工廠預計2027年中開始生產；公司近期進一步擴大美國投資至約2000億美元（製造+研發），包括新增第二座fab。

· 紐約州Clay千億美元級megafab項目持續推進，規劃多座晶圓廠，目標2030年前後大規模量產。

亞洲同步擴產

· 日本廣島7月初舉行1.5萬億日圓（約93億美元）擴建動工儀式，專注高端HBM等AI晶片，2028年前後出貨，日本政府提供高額補貼。

· 新加坡：1月啟動240億美元NAND先進晶圓廠建設，2028年下半年投產。

· 台灣：以18億美元收購力積電銅鑼晶圓廠，預計2027年生產DRAM。

Micron強調擴產主因為滿足長期需求及供應鏈在地化，並非短期大幅增加消費級供給。分析認為，整體DRAM/NAND短缺格局短期難以改變，價格仍有支撐。本輪全球擴產預計將顯著提升Micron產能，並創造數萬個就業機會。公司目標於2030年前後在美國生產約40%的DRAM。更多動態將隨AI需求持續更新。