高盛大幅上調全球晶圓廠設備支出:儲存與先進代工成主引擎
高盛最新報告將2026至2028年全球晶圓廠設備支出預測大幅上調至1500億、2180億及2810億美元,增速預期遠超此前判斷。台積電N2製程擴產、三星SK Hynix押注HBM4、SpaceX與特斯拉Terafab項目168億美元承諾,多重引擎共振,半導體資本支出景氣週期有望一路延續至2028年。
高盛大幅上調未來三年全球晶圓廠設備(WFE)支出預測,將2026至2028年市場規模預期分別提升至1500億、2180億及2810億美元,上調幅度顯著超出此前預期,反映出半導體資本支出週期正加速向上突破。
據追風交易台,高盛在2026年8月23日發佈的研究報告中指出,第二季財報季披露的半導體資本支出數據普遍優於預期,疊加設備供應商給出更為樂觀的前景展望,共同驅動此輪預測大幅修正。其中2026年WFE同比增速預期從此前的32%上調至36%,2027年從32%跳升至45%,2028年則從12%大幅提升至29%。
高盛維持對半導體設備板塊的整體看多立場,此次預測上調對設備板塊投資者具有直接指引意義,更高的資本支出預期意味著設備廠商訂單能見度持續改善,行業景氣週期有望延續至2028年。
代工:台積電擴產帶動先進製程設備需求躍升
報告將2026至2028年代工領域WFE預測分別上調至580億、840億及1090億美元,對應同比增速分別為45%、45%及30%,均較此前預測的30%、30%及16%大幅提升。
驅動力主要來自台積電。在本次更新中將台積電2026至2028年每年資本支出預測各上調80億美元,理由是N2製程的設備投入強度高於預期,且客戶需求持續旺盛。報告指出,隨著N2製程在未來數個季度進入量產爬坡階段,代工領域WFE動能將持續強勁,先進邏輯製程是核心驅動來源。
DRAM:HBM4遷移與產能擴張推動支出持續攀升
DRAM領域的上調幅度同樣突出。報告將2026至2028年DRAM WFE預測分別上調至480億、720億及970億美元,同比增速分別為50%、50%及35%,較此前預測的45%、45%及10%均有提升,其中2028年增速預期提升幅度最為顯著。
分析師Giuni Lee將三星電子2026至2028年平均DRAM資本支出預測上調22%,SK Hynix上調19%。儘管行業整體支出大幅增加,但DRAM供給將持續偏緊,產能約束狀態預計延續至2028年。節點製程遷移及向HBM4升級是支撐這一判斷的核心邏輯。
NAND:近期以升級改造為主,供給偏緊延續至2027年
相較於DRAM和代工,NAND領域的預測調整較為溫和,且方向有所分化。報告將2026年NAND WFE預測從110億美元小幅下調至110億美元(基本持平),2027年從170億美元下調至150億美元,2028年則從200億美元上調至220億美元。
NAND近期增量支出將以升級改造為主,而非大規模新增產能,這一策略將支撐供給維持偏緊格局至2027年。2028年支出加速則反映出更長週期維度的產能擴張預期。
邏輯及其他:英特爾復甦與Terafab專案帶來超預期增量
邏輯及其他領域的預測上調幅度在中長期維度尤為突出。報告將2026至2028年Logic/Other WFE預測分別上調至340億、470億及530億美元,其中2027年預測較此前的350億美元上調34%,2028年較此前的370億美元上調43%。
兩大因素驅動這一上調:其一,英特爾需求好於預期,帶動相關資本支出預測上修;其二,尾端製程及類比晶片市場正在復甦。此外,SpaceX與特斯拉已就Terafab專案初始階段合計承諾約168億美元投入,相關支出已被納入Logic/Other預測,構成該細分領域中期增長的重要增量來源。
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