美光(MU.US)Q4電話會：管理層高呼「看不到供需平衡時點」明年75%出貨已鎖定 2028年比2027年更緊

智通財經APP獲悉，美東時間9月30日美股盤後，Micron Technology(MU.US)公佈2026財年第四財季的業績報告，管理層於電話會議中釋放樂觀信號，稱AI驅動的內存需求持續強勁，2027年及2028年供需將保持緊張，公司對長期增長信心增強。管理層表示，2027財年超過75%出貨已鎖定，SCA覆蓋至2030年約35%銷售額；HBM增速快於傳統DRAM，2027年定價已顯著上調。供應端受潔淨室建設、技術轉型回報遞減及HBM trade ratio上升制約，公司暫未見到供需平衡時點。

管理層核心觀點為：AI驅動的內存需求遠未見供需平衡，2027年及2028年市場將持續緊張，甚至2028年可能較此前預期更為吃緊。總裁兼首席運營官Manish Bhatia表示，伺服器單位至2027年續增，代理式AI快速崛起亦帶動CPU驅動的內存需求；公司2027財年超過75%出貨已鎖定，且已將客戶分配談判延伸至2028年。供應端則受限於技術轉型回報遞減、HBM成長快於傳統DRAM、HBM產能消耗比(trade ratio)上升以及潔淨室建設周期長等結構性限制，故公司「看不到供需何時平衡」。

HBM仍是焦點。管理層稱HBM出貨增速將快於傳統DRAM，至2028年占行業產能份額持續提升；2027曆年的HBM定價已顯著上調，並將於年初重置，以縮小與傳統DRAM的獲利差距。HBM市場份額方面，公司不追求單一數字，而是大致維持與整體DRAM份額相當。HBM4E方面，Scott DeBoer稱公司與Nvidia共同設計NV HBM已逾一年，這將是首個重要客製HBM產品，差異體現在功耗、速度和產品品質，預期帶來高價值及強ROI。

戰略性客戶協議(SCA)方面，公司已簽署26個SCA，至2030年覆蓋約35%銷售額，涵蓋DRAM與NAND；其中DRAM量略低於35%，NAND位元略高。新簽10家客戶涵蓋小型至大型，所有業務單元均有覆蓋。約四分之三SCA收入有明確價格框架，四分之一開放定期談判或隨市定價，多數設有上下限，但新協議已依據當前市場情況及未來緊張預期重新定價。

資本支出方面，CFO Mark Murphy稱2027財年建設資本支出增加主要投入2028年底及以後上線的潔淨室，加速產能空間；但支出不會立即轉化為位元，公司將根據需求動向與設備供應協議靈活配置產能。中國方面，管理層稱中國曝險持續下降，2027財年預計降至個位數；技術領先中國競爭對手至少2個節點，1-gamma DRAM已為多數位元，1-delta將於明年下半年量產，EUV為關鍵差異化。

對於行動與客户端，管理層承認位元出貨環比下降，但收入因定價與組合改善而增長，高端客户端與旗艦手機需求強勁。NAND方面，預計產業2027-2028年成長約20%中段，市場保持緊張；新加坡潔淨室用於先進研發與HBM試點，致使今年供應成長低於產業，但G9爬坡將帶來高ROI供應。整體而言，管理層認為AI硬體需求、SCA鎖定和供應約束將支撐長期強勁財務表現，儘管啟動成本和價格漲幅放緩可能部分抵銷毛利率擴張。

以下為美光科技2026財年第四季度財報電話會議紀要：

Satya Kumar

投資者關係與司庫企業副總裁

歡迎參加美光科技2026財年第四季度財報後分析師電話會議。今日與我一同出席的有總裁兼首席運營官Manish Bhatia、總裁兼首席技術與產品官Scott DeBoer博士，以及首席財務官Mark Murphy。

提醒各位，今天討論內容涉及有關市場供需、市場動向與驅動、預期業績與指引及其它事項的前瞻性陳述。這些前瞻性陳述受風險與不確定性影響，可能導致實際結果與今日陳述存在重大差異。請參閱我們向SEC提交的文件，包括最新10-K及即將提交的10-Q，以了解可能影響業績的風險。

儘管我們認為前瞻性陳述所反映的預期合理，但無法保證未來結果、活動水準、業績或成就。公司無義務更新任何前瞻性陳述以配合實際結果。現在開放問答。

問答環節

Benjamin Reitzes

Melius Research LLC

恭喜履新，Scott。我想談談2028年。你們新增了對2028年的評論，並說2028年供需將比今年及2027年更為緊張。我想瞭解哪些因素改變，對毛利率有何意涵。你們圍繞2027年給出了比以往更多的毛利率評論，這很好，但我不認為2028年毛利率會偏離你們對2027年所暗示的水準。請就2028年進一步說明。

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

當然，Ben。我先回答，有需要Mark再補充。也感謝你的祝賀。就2027年與2028年而言，我們看到的需求驅動因素比以往更強。我們提到伺服器單位至2027年繼續增長。同時，代理式AI迅速興起，也正形成CPU驅動的需求流。所以，在制定2027財年規劃時，我們已鎖定全年超過75%出貨量，這展現強勁需求，並使我們能將與客戶的分配談判延伸至2028年。

這是我們信心來源之一：2027年需求較以往預期更強。同時，隨著我們與客戶進行更多長期協議(SCA)談判，包括已簽成的延期，對長期前景也更有信心。兩者結合，使我們對至2028年的需求展望非常正面。

供應方面，之前討論的結構性約束仍在：技術轉型回報遞減；到2028年HBM成長快於傳統DRAM，意味著HBM在產業總產出能力中的份額提升；同時，不僅針對現有HBM的產能消耗比(trade ratio)，未來更複雜HBM更高產能消耗比也將限制供應。

此外，全產業新建潔淨室需要較長時間建設、認證及配備設備，即便投產也需數季才能有意義的出貨。因而結合需求與供應前景，目前我們看不到供需平衡的時點。

Mark Murphy

執行副總裁兼首席財務官

Ben，我補充一點。如你所指，2027年我們已表示全年毛利率將較第一季擴張，因價格持續上升，但漲幅趨緩。我們多次說過，價格漲幅終將放慢。屆時，除了較低速度的漲價外，產品組合將改善，亦能依賴技術與產品領先地位優化結構。

如我們所言，市場狀態預期將持續緊張並在2028年前持續支撐。部分削弱價格與有利組合的因素為啟動成本。但這些都在我們管理範疇內，預期仍能維持強勁財務表現。

Benjamin Reitzes

Melius Research LLC

再追問一個。Sanjay在Trump午餐會上居於重要席次。他是否對產業成長與自我監管能力感到樂觀？這是否支撐他給出的正面指引？會議有無更多消息，內存是否常被提及？

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

Ben，Sanjay不在線，我僅就我所知對話說明。我們當然很高興能參與該論壇。Micron與模型公司及加速器公司一同受邀，顯示內存的重要性。會議發佈的白皮書框架已得多家模型公司簽署，該框架對推動AI基礎設施—尤其AI硬體基礎—具有建設性。

我了解到，討論比較多的一個主題是，部分安全問題管理會用安全解決方案，而這需要更先進硬體，包括更高效能、更低延遲記憶體，以及更高頻寬記憶體。因為未來或將設立的安全管理閘道，其回應能力很大程度將取決於高效能和低延遲記憶體的可用性。

Melissa Weathers

德意志銀行研究部

也恭喜兩位晉升。過去幾季，你們曾提及2028、2030年HBM總TAM看法。顯然，定價環境現已發生變化。你們是否願意給出HBM TAM的新官方數字？從方向看，可否說明有多少來自位元，多少來自定價？怎樣看待市場規模？

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

Melissa，謝謝。我們現階段不更新該TAM展望。但我們曾指出，HBM出貨量將快於傳統DRAM成長，代表至2028年HBM占產業產能比重繼續增。定價方面，至少就我們而言，已大幅調升曆年2027年HBM定價，並計劃於曆年初重置，縮小與傳統DRAM的利潤差距。除此之外，我們未針對HBM TAM細項前景作評論。該市場持續成長，仍是重要推力，HBM佈局仍是釋放AI更廣潛力的關鍵，因此為市場重要組成。

Melissa Weathers

德意志銀行研究部

明白。就市佔率而言，你們對HBM份額目標有更新嗎？過去曾表示期望提升至公司平均水平，即20%出頭。現階段是否仍如此？另外，我注意你們準備發言時提及HBM4E與與Nvidia的合作。請就2027年及HBM4E客戶進展補充更多。

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

我先答第一個，HBM4E的由Scott答，因他負責該產品開發。就HBM市場份額而言，約一年前我們達成里程碑，HBM市佔率等同整體DRAM。當時表示目標會彈性調整，無明確數字目標，只說HBM預計與整體DRAM份額接近，無其他更新。

份額會隨多種因素波動。但正如前面所述，HBM是市場非常關鍵部分，讓我們貼近客戶設計和加速器佈局前線，也是其他AI落地承諾與潛力的重要推手。

Scott DeBoer

總裁兼首席技術與產品官

補充與Nvidia合作狀況。這會是市面上首個重要客製化HBM產品。我們搭配Nvidia於HBM4E上合作超過一年，也就是NV HBM。我們認為此中蘊含極大機會，因和關鍵客戶共同設計產品，讓其價值大大超越標準HBM4E。我認為這會帶來實質產業效應，展示未來系統如何優化產品。

Atif Malik

花旗集團研究部

第一個問題關於26個SCA，至2030年占銷售額35%。是否同時涵蓋DRAM與NAND？可否細分？

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

Atif，是的。我們不予細分，但SCA協議確實涵蓋DRAM與NAND，並延續至2030年。具體DRAM量略低於35%，NAND位元量則略高。未來我們有更多可運用量。如前所述，隨著持續進行SCA談判，下階段這項數字可能會更高。

Atif Malik

花旗集團研究部

明白。至於中國競爭，是否可確認中國銷售敞口較低？Scott可否評論中國競爭對手在技術上縮小差距的情況？

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

第一問題，是的。近年來以及過去幾季，我們的中國曝險持續下降，預計2027財年下降至個位數。

Scott DeBoer

總裁兼首席技術與產品官

就技術而言，我們目前至少領先中國競爭對手2個節點。須強調，我們專注於保持技術領先和在產品及競爭模式上的真實差異。如Manish所述，我們1-gamma DRAM技術已占我們大多數位元，且有望成為公司歷來最大製程。該技術依賴EUV。下一代1-delta進展順利，專注於明年下半年量產。EUV對今後所有先進DRAM節點都至關重要。我們這領域之專業，包括與技術供應商協作、光罩技術等，持續是Micron的關鍵差異因素。

Karl Ackerman

法國巴黎銀行研究部

多數產品組合需求強勁，但本季度行動與客户端業務位元出貨量似連續兩季下降。更高內存價格是否削弱該領域需求？SCA於此領域推進較慢，你們的SCA增長來源與此客群有關嗎？

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

謝謝你，Karl。我們確實見到行動與客户端位元環比下降，但收入因價格走高和組合改善而提升。須指出客户端和旗艦智慧型手機高端細分市場對更高容量、更高性能解決方案的需求強烈，也是我們重點發展領域。受此帶動，預期PC和行動產業收入均將提升，儘管單位數下降。

SCA方面，我們於各業務單元皆有所佈局，包括行動及客户端。雖不做細分，但維持SCA有助於對所有終端市場提供多元供應。

Karl Ackerman

法國巴黎銀行研究部

明白。問Scott一題。你們如何看待HBM4E基礎芯片相對同業之競爭力？部分客戶正導入客製解決方案。複雜度與經濟價值主要落於運算客戶還是HBM供應商？

Scott DeBoer

總裁兼首席技術與產品官

明確一點，HBM4E我們與Nvidia共同設計，但不同於HBM4使用內部基礎芯片。HBM4E是共同設計的晶圓代工製程產品，既有客製也支持JEDEC標準產品。

就差異化而言，正如我們過去於HBM展現的，重點是功耗、速度效能及與客戶合作時產品彈性。各代產品不同供應商表現殊異，我們相信這將續為Micron於產品品質和能力之競爭優勢。

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

Karl，經濟價值來說，HBM屬高端產品。如Scott所言，NV HBM帶有客製特性，預期亦為高價值產品。我們相信HBM持續成為高ROI的產品線。

James Schneider

高盛集團研究部

恭喜Manish與Scott。我想了解本季簽署的10家新客戶SCA，客戶有何需求？當然他們期望取得更多供應與更長期限，但定價架構是否改變？鑑於2027及2028日曆年預期緊張，若未來可取更多上行空間，是否會減少設定上下限價？

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

謝謝，Jim。SCA架構相似，差異處在於談判反映當前市場狀況及未來定價預期，因此價格走向一直向上。這些都已含於與客戶討論，而早期協議屬於CQ2市場情勢下簽定。我們提過，約四分之三的SCA收入有明確價格架構，一成四分之一則開放談判或隨市定價。

整體架構相似，大多數價格架構設有限制區間，但新協議會在談判時顧及目前市場狀況及所見未來緊張。

James Schneider

高盛集團研究部

明白。此是否代表所有上下限都依現今更高市場狀況重置？還是定價條件更不同？另有披露與超大型客戶初始簽約嗎？這是否計算於TAM中？

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

存有多種架構。所指大多具定價的架構設有限制，但我們繼續採多元架構。自上次會議以來，新簽10個SCA包含由小型至大型客戶。我們並未具體細分，只說目前所有業務單元都有SCA，且客戶橫跨規模，最新10個皆納入。合計26個。

Christopher Caso

Wolfe Research, LLC

第一問題，請談談資本支出與晶圓廠建設資本支出和設備採購的比較。從你的評論聽起來，建設資本支出增速更快，不確定理解是否正確。潔淨室空間限制正拖慢今年設備導入能力。但建設資本支出增加值得關注，因這起碼要到2029年，甚至更久才帶來位元產出。

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

Chris，我先回，Mark可補充。的確如此。產業主要受制約為潔淨室空間，因AI需求強勁增長相對較新，而建設潔淨室需時較長。因此我們正聚焦此領域。你說得對，2027財年建設資本支出較原規劃增加，多數投入2028年底後上線的潔淨室。說明建設周期長，也說明為何現在即須啟動建設投資，同時顯示我們對長期需求的信心，源於市場現狀與SCA結構，以及客戶願簽延伸至2030年及以後的談判。這些SCA對我們意義重大，使供應能與未來需求對應，更支持我們安心投資。

Mark Murphy

執行副總裁兼首席財務官

Chris，補充一點。大部分增幅確實為建設資本支出，用以加速2028年及以後潔淨室空間開出。我們預期此趨勢持續至2027年之後。你提的重點在於，這些支出不會立刻增產位元。這些廠房會在需求到來時配設備生產，依據我們對市場與SCA評估。SCA協議有助我們把握市場脈動，也確保資本回報。

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

再補一點，Chris。我們會依照需求趨勢規劃潔淨室佈局與產能建設。我們一直與設備供應商簽長期協議，確保及時獲機台。但還是會視那時需求情況，在潔淨室布設機台、擴增產能。

Christopher Caso

Wolfe Research, LLC

明白。後續問題關於CPU強度對位元需求與供需平衡的影響。這可能是年初以來最大正向意外。CPU沒有HBM那樣的trade ratio效應。這對供需緊張貢獻多大？

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

代理式工作負載在CPU執行，這點是個重要主因。LP、DDR內存和SSD都具高附著率以支援這些負載。這些工作負載已開始落地，並於企業端與消費端帶來實際價值。也是伺服器出貨猛增一大主因，如前所說高速成長雙位數。亦顯示邏輯晶片成長是另一推動力，搶搭AI趨勢。因此拉高邏輯晶片與AI計算總需求，同時對DRAM形成人為束縛，顯示DRAM成為主要制約，不是邏輯甚至數據中心電力。

我提過，代理式企業工作負載有多種軟體選擇。Meta的Muse問世數週進展極快，也展現代理式工作負載多快開始造福消費端。

Joseph Moore

摩根士丹利研究部

明年供應成長放慢，搭配資本支出背景多少令人驚訝。你們提及HBM抑制作用，但差值不該那麼明顯。請你說明，資本支出高企下，供應為何放緩？有哪些原因？

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

Joe，你問的包括DRAM與NAND嗎？

Joseph Moore

摩根士丹利研究部

是的，但以DRAM為主。

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

我們提過，HBM成長快於傳統DRAM。隨產業由HBM3轉向HBM4，至2027年底更進入HBM4E，trade ratio不斷增高。兩者同時拖累位元出貨能力。同時，我們和產業同儕的位元成長來自技術節點演進，轉型時機會影響位元成長，新節點回報也遞減。

這些都限制了供應。但最大因素仍為產業各家潔淨室空間。雖然我們愛達荷廠將於2027年中期首次產出晶圓，業界其他家廠也可能新開潔淨室，但接下來的有意義供應增加仍需幾個季度。這些就是我們認為明年DRAM行業供應出貨下降的原因。

Joseph Moore

摩根士丹利研究部

明白。若你們對產業供應較保守，而明年供應多些，似乎需求壓抑很久。不少AI機架被迫降規格，以符供應；若供應恢復，是否可提升規格？我想法會否過於樂觀？

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

這正是重點。Sanjay於前次電話會強調，我們的確見客戶以可用內存供應極大化計算芯片出貨，這進一步創造潛在需求，把更多內存掛到計算芯片以推升系統效能與最終客戶體驗。因而一旦更多內存可用，很快就會被AI工作負載吸收，不論在加速器還是CPU上。

Mehdi Hosseini

Susquehanna Financial Group, LLLP，研究部

幾個追問。你們強調2026年NAND位元出貨低於行業均值。2027至2028年如何預期？NAND位元需求或出貨可否以行業均值25%成長？

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

Mehdi 坦率說，我們不公布那麼遠的DRAM或NAND展望。確實預估NAND產業狀態緊張，縱使行業預估2027至2028年曆年成長20%中段。我們供應成長受下列影響：目前將新加坡部分潔淨室用於先進研發備未來NAND成長，同時為明年新加坡HBM廠提升產能，部分潔淨室投入HBM試產。導致今年供應成長低於產業。但對技術有信心，預期持續提升G9製程將帶來高ROI、低成本新供應。而新潔淨室預計2028年下半年開出。

Mark Murphy

執行副總裁兼首席財務官

Mehdi，時間有限請快問第二個，之後我補充。

Mehdi Hosseini

Susquehanna Financial Group, LLLP，研究部

抱歉，Mark。快問，我想知團隊想法。觀察DRAM，特別在晶圓層級，設備完全一樣。我認為晶圓層DRAM可替代性更高，後端差異化才大。這種晶圓層可替代性過往看不到，因過去周期受單一產品帶動，客戶高度集中。我假設是否正確，即晶圓層DRAM高可替代性讓你們更好管理DRAM成本？

Scott DeBoer

總裁兼首席技術與產品官

講一下。我認為有部分正確，但也有相反意見。以前端變異性來看，或我們在DRAM工藝為優化HBM、高性能SOCAMM、LPDRAM和DDR6而做的不同，今時今日產品間差異或比DRAM往昔更大。同個製程須建構不同產品，並內嵌更多差異化。Manish你補充？

Manish Bhatia

總裁兼首席運營官

短期內，同一生產線運作多產品，確實易於彈性調整，不須跳廠。但正如Scott所說，各產品優化方向不同，HBM著重頻寬與TSV需獨特製程；DDR、LP也有自身獨特製程。可替代重要處在於我們能於需求處彈性調組合，甚至依客戶要求適配。這些全在同一廠房，但不代表就能更好壓低成本。

Mark Murphy

執行副總裁兼首席財務官

Mehdi，我看這場電話會也接近尾聲。很高興問題都聚焦長期技術與業務實力及表現。本以為這些例行問題會早點出現，現補充：第一季度指引含DRAM與NAND位元環比成長個位數，成本成長雙位數，請模擬時注意。此外，若排除激勵薪酬影響，研發費用同比增將超越上季說過的10億美元，2027年將超10億，因我們擴大研發。請確保這些資訊能用於你的模型預估。