هل ستستمر ذاكرة "العرض أقل من الطلب" حتى عام 2031 بسبب الذكاء الاصطناعي الذي يتعلم باستمرار؟

إن التطور الهيكلي لقدرة الذاكرة في الذكاء الاصطناعي يدفع سوق الذاكرة العالمية نحو دورة مستمرة من نقص الإمدادات قد تستمر لسنوات عديدة.

وفقًا لما نشرته منصة التداول追风، ذكرت Citi في تقريرها بتاريخ 14 سبتمبر أنه مع انتقال الذكاء الاصطناعي من مرحلة التدريب والاستدلال البسيط إلى عصر "التعلم المستمر"، سيشهد الطلب على HBM، وذاكرة الخادم DDR5، والأقراص الصلبة من الفئة المؤسساتية (eSSD) نموًا انفجاريًا متزامنًا اعتبارًا من عام 2027. وتتوقع Citi أن نسبة العرض إلى الطلب للـ DRAM (S/D ratio) ستتدهور إلى -8.7% و-9.7% في عامي 2027 و2028 على التوالي، في حين ستنخفض النسبة لنفس الفترة بالنسبة إلى NAND إلى -6.1% و-5.5%، ومن المتوقع استمرار اختلال التوازن بين العرض والطلب حتى عام 2031.

ومع الزيادة السريعة في الطلب، يتأثر جانب العرض بقيود الطاقة الإنتاجية لـ HBM وتباطؤ الانتقال التكنولوجي، وتظل وتيرة التوسعة الإنتاجية متأخرة كثيرًا عن الطلب. وبناءً على ذلك، تتوقع Citi أن يرتفع الإنفاق الرأسمالي العالمي على الذاكرة في 2027 بنسبة 46.5% على أساس سنوي ليبلغ 80.4 مليار دولار، لكن بسبب طول دورة بناء الطاقة الإنتاجية، يظل من الصعب حتى مع الاستثمارات الضخمة سد فجوة العرض والطلب.

أوضحت أبحاث Citi أن "التعلم المستمر" (Continual Learning) سيكون الموضوع المركزي في مجال الذكاء الاصطناعي خلال السنوات الخمس المقبلة. وعلى عكس نمط النماذج الحالية التي تثبت المعاملات بعد التدريب، يتيح التعلم المستمر للنموذج اكتساب معارف جديدة بصورة مستمرة أثناء التشغيل، مع الاحتفاظ بالمعلومات السابقة المكتسبة.

يتمحور التحدي الرئيس لهذا النهج حول تحقيق التوازن بين تعلم المعارف الجديدة ومنع "النسيان الكارثي". ولهذا، يحتاج نظام الذكاء الاصطناعي تحديث النموذج بشكل مستمر مع الحفاظ على كفاءة الوصول إلى البيانات التاريخية — الأمر الذي يتطلب مستوى أعلى بكثير من احتياجات الذاكرة.

من خلال تتبع تطور أعباء عمل الذكاء الاصطناعي، فقد شهدت الفترة من 2022 إلى النصف الأول من 2025 بروز دورة التدريب، مع ارتفاع قوي في الطلب على HBM، بينما كان الطلب على DRAM وNAND التقليديين مستقرًا نسبيًا؛ وبدءًا من النصف الثاني في 2025، تزداد تعقيدات الاستدلال مما يدفع الطلب على DDR5 الخادم وeSSD للنمو السريع، مع تراجع بعض الاهتمام بـ HBM.

وترى Citi أنه ابتداءً من عام 2027 سيدخل السوق في أولى مراحل التعلم المستمر، ويتوسع الطلب بشكل متزامن على HBM وذاكرة الخوادم DRAM وSoCAMM2 وeSSD؛ وبحلول النصف الثاني من 2028، ومع بروز الذكاء الاصطناعي الشخصي وPhysical AI، سيتوسع نطاق الطلب ليشمل ذاكرة أجهزة الحافة.

من الجدير بالذكر أن حجم استخدام AI token بشكل شهري يُظهر منحنى أُسّي شبه مثالي، حيث يبلغ معدل النمو المركب الشهري 31%، ويصل النمو السنوي في أغسطس 2026 إلى 2434%، مما يوفر دعمًا أساسيًا قويًا لاستمرار النمو العالي في الطلب على الذاكرة.

قدمت Citi تفسيرًا واضحًا لظاهرة "إزالة التقييس" (de-specification) التي أثارت الاهتمام مؤخرًا في صناعة HBM: حيث أن ذلك يمثل سلوكاً لتحسين كفاءة الموارد من قِبل مُصنعي شرائح الذكاء الاصطناعي في ظل محدودية عرض HBM، وليس إشارة إلى تراجع الطلب النهائي.

وتتوقع Citi أن يرتفع الطلب على وحدات HBM في 2027 بنسبة 62% على أساس سنوي ليبلغ 75.157 مليار غيغابِت، ويزداد في 2028 بنسبة 69% ليصل إلى 126.990 مليار غيغابِت، وهو ضعف التوقعات السابقة. ولا يقتصر دافع الطلب على Nvidia، بل يشمل أيضًا شركات تصنيع ASIC مثل Broadcom وGoogle — حيث ارتفعت توقعات طلب Broadcom على HBM من 9.002 مليار غيغابِت في 2026 إلى 41.003 مليار غيغابِت في 2028، وارتفعت توقعات Google من 4.702 مليار غيغابِت في نفس الفترة إلى 14.003 مليار غيغابِت.

وعلى جانب العرض، تتوقع Citi أن ترتفع الطاقة الإنتاجية لـ HBM (بحسب طاقة تغليف TSV) من 420 ألف شريحة شهريًا في 2026 إلى 700 ألف شريحة شهريًا في 2027. ولكن بالرغم من ذلك، ستظل فجوة العرض والطلب مرتفعة: حيث يتوقع أن تكون نسبة S/D لـ HBM في 2027 هي -21%، مماثلة تقريباً لعام 2026 (-22%)، وتتدهور إلى -36% في 2028 مع تسارع شحنات ASIC.

وترى Citi أن إزالة التقييس في جوهرها تعبير براغماتي عن رغبة مصنعي الشرائح في تعظيم شحناتهم من المسرعات تحت قيود الإمداد من HBM، ولا ينبغي تفسيرها كتحول في الطلب.

تتوقع Citi أن يرتفع الطلب العالمي على DRAM في 2027 بنسبة 30.2% على أساس سنوي، لكن معدل نمو العرض لا يتجاوز 18.8%، ما يؤدي إلى تدهور نسبة العرض إلى الطلب من +0.5% في 2026 إلى -8.7% ثم إلى -9.7% في 2028.

من جهة الطلب، فإن النمو في طلب DRAM لخوادم الذكاء الاصطناعي المدفوع بالتعلم المستمر يُعد الأبرز. وتقدر Citi أن يرتفع الطلب من 226.3 مليار وحدة (ما يعادل 1 غيغابت) في 2026 إلى 341.7 مليار وحدة في 2027، بمعدل نمو سنوي 51%، وستواصل الخوادم استحواذها على نحو 67% من إجمالي الطلب على DRAM. في المقابل، من المتوقع أن يظل الطلب على الحواسيب الشخصية مستقرًا إلى حدٍ ما، مع تعافي معتدل في قطاع الهواتف المحمولة.

أما على جانب العرض، فالعوائق واضحة أيضًا: فمن جهة، تؤدي إشغالات HBM المستمرة للطاقة الإنتاجية إلى ضغط على إنتاج رقائق DRAM التقليدية، حيث يُتوقع أن ترتفع الطاقة الإنتاجية المتوسطة لرقائق DRAM في الصناعة بنسبة 8% فقط في 2027 لتبلغ 2.295 مليون شريحة شهريًا؛ ومن جهة أخرى، يُقيّد التباطؤ في انتقال عقد التصنيع تقدم معدل إنتاج الـ bit لكل شريحة؛ بالإضافة إلى أن الدورات الطويلة من طرح الطاقة الخضراء حتى الإنتاج الفعلي تعني أن استجابات العرض ستكون بطيئة رغم تسارع الإنفاق الرأسمالي.

تتوقع Citi أن يرتفع متوسط سعر DRAM المختلط في 2027 بنسبة 23.1% على أساس سنوي، وبعد ارتفاع غير معتاد وصلت نسبته إلى 242.4% في 2026، سيستمر الاتجاه التصاعدي في الأسعار لكن الوتيرة ستتحول إلى طبيعية أكثر.

يواجه أيضًا سوق NAND ضيقًا فعليًا في فجوة العرض والطلب. وتتوقع Citi زيادة الطلب على NAND بنسبة 29.1% في 2027 مقارنة بالعام السابق، في حين أن معدل نمو العرض لا يتجاوز 21.2%، وتنخفض نسبة S/D من -0.8% في 2026 إلى -6.1% في 2027، وتحافظ على مستوى -5.5% في 2028.

يعد eSSD القوة الدافعة الجوهرية لنمو الطلب على NAND. تتوقع Citi أن يرتفع الطلب على eSSD في 2027 بنسبة 52.9% (مقابل معدل نمو إجمالي SSD عند 45.0%)، وذلك لثلاث أسباب رئيسية: أولاً، انخفاض كمية HBM المثبتة لكل مسرع يدفع نقل المزيد من أعباء عمل KV cache إلى التخزين الخارجي؛ ثانيًا، تعقيد أعباء عمل الاستدلال في الذكاء الاصطناعي يدفع لاختراق واسع للأقراص عالية السعة QLC eSSD في خوادم الذكاء الاصطناعي؛ ثالثًا، يوفر اتجاه Nvidia نحو تفريغ KV Cache، بجانب توجه مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي في الصين للاستعاضة عن HDD بـ SSD، مساحة إضافية لنمو الطلب.

أما على جانب العرض، فالقيود أيضًا جديرة بالملاحظة. وتتوقع Citi أن ترتفع الطاقة الإنتاجية الشهرية للرقائق NAND على مستوى الصناعة في 2027 بنسبة طفيفة 3.2% لتصل إلى 1.46 مليون شريحة شهريًا، مع توقع انخفاض الطاقة الإنتاجية لشركة Samsung بنسبة 4.7%، في حين تبقى الطاقة لدى SK hynix وMicron ثابتة تقريبًا. ويعود السبب الرئيسي إلى أن المصانع تميل لتحويل المزيد من الموارد إلى توسيع إنتاج DRAM/HBM، مع تبني موقف حذر تجاه الاستثمار الإضافي في NAND.

فيما يخص الأسعار، تتوقع Citi أن يرتفع متوسط سعر NAND المختلط في 2027 بنسبة 45.3% مقارنة بالعام السابق، مواصلاً الاتجاه الصاعد بعد ارتفاع 236.2% في 2026، حتى وإن كانت وتيرة الارتفاع قد تباطأت بعض الشيء.

تتوقع Citi أن يرتفع الإنفاق الرأسمالي العالمي على الذاكرة (DRAM+NAND) في 2027 بنسبة 46.5% على أساس سنوي ليبلغ 80.4 مليار دولار، في تسارع واضح مقارنة بـ 54.9 مليار دولار في 2026.

من المتوقع أن يرتفع الإنفاق الرأسمالي على DRAM بنسبة 51.6% ليبلغ 58.6 مليار دولار، وتتصدّر القائمة شركات Samsung (20.6 مليار دولار)، وSK hynix (17.5 مليار دولار)، وMicron (15.8 مليار دولار). ومع ذلك، تؤكد Citi على أن نسبة كبيرة من استثمارات DRAM الإضافية ستتجه إلى تعزيز قدرات HBM وعمليات DRAM المتقدمة، مع تأثير فعلي محدود على تخفيف نقص DRAM التقليدي.

أما الإنفاق الرأسمالي على NAND، فيُتوقع أن يرتفع بنسبة 34.2% ليصل إلى 21.8 مليار دولار، مع استثمارات Samsung تصل إلى 7.9 مليار دولار، وKioxia 3.7 مليار دولار، وSK hynix 3.1 مليار دولار، وSandisk 2.9 مليار دولار، وMicron 2.1 مليار دولار.

وأشارت Citi إلى أنه على الرغم من القفزة الكبيرة في حجم الإنفاق الرأسمالي، إلا أن الوقت الطويل اللازم لتوسيع الطاقة الإنتاجية الجديدة يجعل مستويات الإنفاق الأعلى غير كافية لسد فجوة العرض والطلب في 2027. وبناءً على ذلك، مددّت Citi توقعاتها بشأن اختلال التوازن بين العرض والطلب في سوق الذاكرة العالمية حتى عام 2031، وأكدت أن التعلم المستمر وتوسُّع الذكاء الاصطناعي الشخصي وPhysical AI سيشكلان الدعامة الأساسية لهذا النقص الهيكلي طويل الأجل في الإمداد.