"La orden no cambió las expectativas, pero la confianza ya fue reevaluada" – Bank of America: La colaboración de los tres gigantes, incluido ASML (ASML.US), consolida la hoja de ruta a largo plazo para High-NA.
El martes, ASML.US se convirtió en el centro de atención del mercado, ya que Bank of America elogió el acuerdo adicional de suministro de equipos de fabricación de chips que la empresa alcanzó con TSM.US, INTC.US y Samsung.
Según ha informado Jinse Finance APP, el martes ASML (ASML.US) se convirtió en el foco del mercado, ya que Bank of America elogió el acuerdo adicional de suministro de equipos de fabricación de chips que la compañía alcanzó con TSMC (TSM.US), Intel (INTC.US) y Samsung. El analista de la entidad, Didier Scemama, reiteró su calificación de "compra" para ASML y mantuvo el precio objetivo en 2.452 euros. Señaló que impulsar la construcción de un ecosistema de plantillas fotomáscara de 12 pulgadas es clave para superar las limitaciones actuales de la tecnología High-NA.
El 8 de septiembre, ASML, el gigante neerlandés de la fotolitografía, publicó varios comunicados anunciando la firma de acuerdos de colaboración sobre equipos de próxima generación de litografía ultravioleta extrema (EUV) de alta apertura numérica (High-NA) con los tres mayores fabricantes de chips del mundo: TSMC, Intel y Samsung Electronics. Los tres gigantes revelaron simultáneamente sus respectivos calendarios de producción masiva con High-NA y lanzaron conjuntamente una iniciativa aún más ambiciosa para la industria: impulsar la transición del estándar de máscaras fotolitográficas de 6 pulgadas utilizado durante décadas a uno de 12 pulgadas de mayor tamaño.
La tecnología High-NA EUV se considera una actualización revolucionaria respecto a la EUV actual. Los equipos comerciales EUV actuales cuentan con una apertura numérica (NA) de 0,33, mientras que High-NA EUV la eleva a 0,55, incrementando notablemente la resolución en la fotolitografía. Esto significa que los fabricantes de chips pueden integrar un mayor número de transistores en el mismo espacio del wafer; el tamaño de los transistores puede reducirse aproximadamente 1,7 veces y la densidad aumenta casi tres veces.
En un informe dirigido a sus clientes, Didier Scemama, analista de Bank of America, señaló: “Estos anuncios coinciden con nuestras previsiones sobre el ritmo de adopción de los equipos High-NA (cinco unidades este año, seis el próximo, y 20 para 2030).”
Explicó: “Si bien estos pedidos no alteran nuestras previsiones financieras, sí refuerzan significativamente la confianza del mercado en la cooperación dentro de la cadena de suministro siguiendo una hoja de ruta unificada para High-NA. La producción en masa que está realizando Intel demuestra que los clientes ya pueden aplicar esta tecnología con el formato actual de máscaras, mientras que la iniciativa conjunta de TSMC, ASML y Samsung allana un camino más sostenido para sacar el máximo provecho de la eficiencia productiva de High-NA en el futuro.”
“Esto es especialmente relevante para los aceleradores de IA cada vez más potentes y GPU de gran tamaño de máscara, pues permite a los diseños evitar riesgos de rendimiento asociados al proceso de empalme durante la fabricación”, añadió Scemama. “La iniciativa apunta a establecer una línea piloto de máscaras de 12 pulgadas antes de 2031 y a estar listos para la producción masiva antes de 2033.”
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