Selon des informations, Samsung Electronics collabore avec Nvidia pour développer une mémoire à large bande passante de septième génération à 8 couches (HBM4E), réduisant ainsi significativement la hauteur d'empilement par rapport aux solutions initiales de 12 et 16 couches. Nvidia a spécifié une vitesse de 17 à 18 Gbps, soit environ 20 % supérieure à l'échantillon HBM4E initial de Samsung à 14,4 Gbps. Ce produit serait destiné à être utilisé dans NVHBM. (Seoul Economic Daily).
Selon des informations, Samsung Electronics collabore avec Nvidia pour développer une mémoire à large bande passante de septième génération à 8 couches (HBM4E), réduisant ainsi significativement la hauteur d'empilement par rapport aux solutions initiales de 12 et 16 couches. Nvidia a spécifié une vitesse de 17 à 18 Gbps, soit environ 20 % supérieure à l'échantillon HBM4E initial de Samsung à 14,4 Gbps. Ce produit serait destiné à être utilisé dans NVHBM. (Seoul Economic Daily).
智通财经2026/08/31 05:31Afficher le texte d'origine
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Selon des informations rapportées, Samsung Electronics travaille en collaboration avec NVIDIA pour développer une mémoire à large bande passante de septième génération à 8 couches (HBM4E), réduisant de manière significative la hauteur d’empilement par rapport aux versions initialement prévues de 12 et 16 couches. Les spécifications de vitesse demandées par NVIDIA sont de 17 à 18 Gbps, soit environ 20 % supérieures à la vitesse des échantillons HBM4E initiaux de Samsung, qui étaient de 14,4 Gbps. Ce produit devrait être utilisé pour NVHBM. (Seoul Economic Daily)
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