Navitas a reçu un contrat du programme de l’armée américaine pour développer une technologie au carbure de silicium de 10 kV

MT newswire2026/09/28 20:46

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04:40 PM EDT, 28/09/2026 (MT Newswires) -- Navitas Semiconductor (NVTS) a annoncé en fin de journée lundi avoir remporté le programme Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT, ou ALATTIS, afin de développer la technologie de semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium de nouvelle génération à 10 kilovolts. Les détails financiers n'ont pas été communiqués. Ce projet de prototype, parrainé par l'Army Research Laboratory sous l'égide du US Army Combat Capabilities Development Command, se concentrera sur le développement et la validation d'un processus de fabrication national pour des dispositifs semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium à très haute tension grâce à la conception, la fabrication et les tests.

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