Samsung Electronics : La production de masse de la septième génération de HBM4E commencera au premier semestre de l'année prochaine

Samsung Electronics : « Début de la production de masse de la septième génération HBM4E au premier semestre de l’an prochain, la fonderie de semiconducteurs affiche une croissance à deux chiffres »Les revenus de Samsung Electronics issus de la troisième génération HBM4 ont plus que triplé par rapport au trimestre précédent. Le prochain point d’observation sera de voir si l’expansion des produits existants pourra se prolonger jusqu’à la production de masse de la HBM4E en 2027, ainsi qu’à la croissance de l’activité fonderie.HBM est une mémoire à large bande passante utilisée pour les accélérateurs d’IA. Samsung Electronics a déclaré avoir expédié en mai dernier des échantillons HBM4E à 12 couches à ses clients et présente désormais un plan visant à démarrer la production de masse au premier semestre 2027, puis à augmenter la capacité au second semestre.Le prix moyen de la DRAM a augmenté de 20 % par rapport au trimestre précédent, tandis que la NAND a progressé de 10 %. Les revenus générés par la fonderie de semiconducteurs sont liés aux puces de calcul situées sous les HBM — les tranches de base. Samsung Electronics prévoit que les revenus de la fonderie au quatrième trimestre augmenteront à deux chiffres sur une base séquentielle et annuelle.Selon les informations financières de la société, le segment mobile et réseau a enregistré une perte d’exploitation de 600 milliards de KRW au troisième trimestre, tandis que le secteur des produits finis reste confronté à des pressions sur les coûts.Le calendrier de production de masse et la croissance de la fonderie relèvent de la planification de l’entreprise et ne constituent pas des performances déjà réalisées. Il convient de suivre la validation des clients pour la HBM4E, les livraisons effectives, et de voir si l’augmentation de la production pourra se traduire par une amélioration de la rentabilité.