A Samsung Electronics vai dobrar a produção de HBM4 e HBM4E no próximo ano.

Prevê-se que a produção da série HBM4 da Samsung Electronics no próximo ano atinja pelo menos o dobro do volume deste ano, incluindo a sexta geração de memória de alta largura de banda (HBM4) e a sétima geração HBM (HBM4E). Anteriormente, a empresa planeava aumentar a procura por “substratos de vidro” para 2,5 vezes o valor deste ano. O substrato de vidro é um suporte de vidro utilizado para suster a pastilha enquanto o DRAM destinado a HBM é afinado. Segundo noticiado pela indústria de semicondutores no dia 20, a Samsung Electronics irá aumentar a quantidade de limpezas de substratos de vidro terceirizadas, essenciais ao processo de produção de HBM, de 20 000 unidades mensais este ano para 50 000 unidades por mês no próximo ano. No ano passado, apenas eram necessárias 10 000 unidades mensais de substratos de vidro, o que significa que a quantidade deste ano é o dobro da do ano passado e que, no próximo ano, atingirá 2,5 vezes mais do que este ano. O substrato de vidro é um suporte temporário afixado na parte inferior da pastilha de DRAM para HBM, utilizado para evitar que a pastilha se deforme ou parta durante os processos de polimento, afinamento ou perfuração. Uma vez que o HBM precisa de empilhar vários chips de DRAM debaixo de uma espessura limitada, à medida que aumenta o número de camadas empilhadas, a tecnologia de afinamento da pastilha e o controlo de deformações tornam-se ainda mais importantes. A Samsung Electronics está a focar os seus preparativos para expandir a produção de HBM4 e HBM4E, centrando-se sobretudo em produtos com empilhamentos superiores a 12-High. De acordo com análises do setor, mesmo considerando que os substratos de vidro são reutilizados após limpeza e que a quantidade necessária varia consoante o processo e o rendimento, o aumento do volume para 2,5 vezes continua a significar que a produção de HBM4 e HBM4E provavelmente atingirá pelo menos o dobro da deste ano. Em fevereiro deste ano, a Samsung Electronics iniciou a produção em massa e envio do HBM4, que utiliza DRAM de sexta geração a 10 nm (1c), bem como chips básicos fabricados com tecnologia de 4 nm (sendo nm um nanómetro, igual a um milésimo de milionésimo de metro). Em maio, a empresa também forneceu amostras do HBM4E 12-High a clientes, incluindo a NVIDIA. O setor prevê que, considerando o volume médio mensal de pastilhas, a produção de HBM da Samsung Electronics aumentará das cerca de 180 000 unidades deste ano para cerca de 250 000 no próximo ano, uma subida de quase 40%. Relativamente à quota de envios dos vários produtos, prevê-se ainda que, com a plena produção em massa do HBM4E, a fatia da série HBM4 aumente de cerca de 40% este ano para cerca de 80% no próximo ano. Um especialista do setor explicou: “À medida que a Samsung Electronics expande a produção de HBM, a empresa parece estar a colocar o produto de alto valor acrescentado HBM4 no centro das suas operações.”