A disputa pelo HBM se intensifica! Samsung planeja expandir sua capacidade de produção em 4 nanômetros, aumentando a pressão competitiva sobre SK Hynix e Micron

De acordo com o aplicativo Zhihui Caijing, a Samsung Electronics está se preparando para expandir sua capacidade de fabricação avançada sob encomenda, pois a demanda por chips de memória da próxima geração está crescendo rapidamente, levando sua linha de produção de 4 nanômetros a operar com capacidade máxima.

Essa medida pode intensificar a concorrência com a SK Hynix (SKHY.US) e a Micron (MU.US) — os três gigantes da memória estão disputando participação no florescente mercado de chips de IA.

Samsung amplia capacidade de memória

A mídia sul-coreana informou que a Samsung está considerando expandir sua capacidade de fabricação de wafers de 4 nanômetros para apoiar a produção de base dies (HBM4 base die). O base die é a camada lógica localizada sob a pilha de DRAM que conecta a memória ao acelerador de IA.

Diferentemente da SK Hynix, que utiliza o processo de 12 nanômetros da TSMC para fabricar o base die do HBM4, a Samsung está produzindo esse componente internamente usando seu processo de 4 nanômetros.

Mais da metade da capacidade atual de 4 nanômetros da Samsung já foi alocada para a produção do base die do HBM4. A demanda também vem de outros clientes, incluindo o Groq 3 LPU da Nvidia, o que levou a Samsung a reajustar para cima o preço de novos pedidos de 4 nanômetros.

Disputa pelo HBM se intensifica

A expansão da produção ocorre enquanto a Samsung acelera a elevação da capacidade do HBM4. A empresa espera que a receita do HBM4 no terceiro trimestre cresça mais de três vezes em relação ao trimestre anterior e que, no segundo semestre, o HBM4 represente mais de 60% da receita total de HBM.

O crescimento da Samsung já está mudando o cenário competitivo. Dados da Counterpoint mostram que a participação da Samsung na receita de HBM subiu de 21% no primeiro trimestre para 33% no segundo trimestre, enquanto a SK Hynix ficou com 50% e a Micron com 18%.

A empresa estuda ainda construir uma nova linha de 2 nanômetros para o HBM5, cuja base die deve adotar este processo. Isso pode reforçar ainda mais a estratégia de integração vertical da Samsung, unindo fabricação de memória, lógica e empacotamento avançado.

SK Hynix e Micron sob pressão

Para a SK Hynix e a Micron, no mesmo momento em que os investimentos em infraestrutura de IA impulsionam a demanda por memória de alta largura de banda a níveis inéditos, a rápida subida da capacidade do HBM4 da Samsung representa mais um desafio competitivo.

Em junho deste ano, a Samsung foi a primeira fornecedora a concluir a validação do HBM4 e iniciar as entregas, enquanto a SK Hynix enfrentou atrasos na certificação e a Micron manteve o foco no HBM3E.

O Citi projeta que a demanda global de bits de HBM cresça 62% no próximo ano, possivelmente colocando o setor em situação de oferta insuficiente. Isso significa que a expansão de capacidade da Samsung pode lhe garantir uma fatia ainda maior desse mercado em rápido crescimento.