AI “liên tục học hỏi” sẽ kéo dài tình trạng “cung không đủ cầu” bộ nhớ đến năm 2031?

Sự nhảy vọt về khả năng ghi nhớ của AI đang đẩy thị trường bộ nhớ toàn cầu vào một chu kỳ thiếu hụt nguồn cung kéo dài trong nhiều năm.

Theo Tin giao dịch ZF, Citigroup trong báo cáo ngày 14/9 cho biết, khi AI chuyển từ giai đoạn huấn luyện và suy luận đơn thuần sang thời kỳ “Học tập liên tục”, nhu cầu về HBM, DDR5 dành cho máy chủ và ổ cứng thể rắn doanh nghiệp (eSSD) sẽ cùng nhau bùng nổ mạnh mẽ từ năm 2027. Citigroup dự kiến, tỷ lệ cung-cầu DRAM (S/D ratio) sẽ tệ đi ở mức -8,7% và -9,7% lần lượt vào năm 2027 và 2028, đồng thời tỷ lệ cung-cầu NAND cùng kỳ cũng giảm xuống -6,1% và -5,5%, tình trạng mất cân đối cung cầu dự kiến sẽ kéo dài đến năm 2031.

Khi nhu cầu tăng vọt, phía nguồn cung lại bị hạn chế do chiếm dụng công suất HBM và tiến trình chuyển đổi công nghệ chậm lại, tốc độ mở rộng sản xuất tụt rất xa so với nhu cầu. Do đó, Citigroup dự đoán rằng, chi tiêu vốn bộ nhớ toàn cầu vào năm 2027 sẽ tăng mạnh 46,5% lên 80,4 tỷ USD so với cùng kỳ năm ngoái, nhưng do thời gian xây dựng công suất sản xuất kéo dài, ngay cả khi đầu tư quy mô lớn cũng khó bù đắp được khoảng thiếu hụt cung-cầu.

Nghiên cứu của Citigroup chỉ ra rằng, “Học tập liên tục” (Continual Learning) sẽ là chủ đề cốt lõi của lĩnh vực AI trong năm năm tới. Khác với mô hình AI hiện nay đóng băng các tham số sau khi huấn luyện, học tập liên tục cho phép mô hình không ngừng tiếp thu kiến thức mới trong quá trình vận hành, đồng thời vẫn lưu giữ thông tin đã học trước đó.

Thách thức cốt lõi của phương pháp này là cân bằng giữa việc học kiến thức mới và tránh “quên thảm họa”. Vì vậy, hệ thống AI cần liên tục cập nhật mô hình, đồng thời đảm bảo truy xuất hiệu quả dữ liệu lịch sử — cả hai yếu tố đều đòi hỏi bộ nhớ lớn hơn đáng kể.

Xét về quá trình phát triển của khối lượng công việc AI, từ năm 2022 đến nửa đầu 2025 chủ yếu là chu kỳ huấn luyện AI, nhu cầu HBM rất mạnh, trong khi DRAM và NAND truyền thống khá trầm lắng; từ nửa cuối 2025, độ phức tạp của suy luận tăng làm thúc đẩy nhu cầu về DDR5 cho máy chủ và eSSD tăng nhanh, sự chú ý dành cho HBM trên thị trường cũng giảm nhiệt hơn.

Theo Citigroup, sẽ bước vào giai đoạn đầu tiên của học tập liên tục từ năm 2027, nhu cầu HBM, DRAM cho máy chủ, SoCAMM2 cùng eSSD sẽ cùng lúc mở rộng; đến nửa sau 2028, cùng với sự phát triển của AI cá nhân và AI vật lý (Physical AI), bản đồ nhu cầu có thể mở rộng thêm đến bộ nhớ các thiết bị biên.

Đáng chú ý, khối lượng sử dụng token AI theo tháng tăng gần như theo hàm mũ hoàn hảo, tốc độ tăng trưởng tổng hợp hàng tháng đạt 31%, tốc độ tăng trưởng so với cùng kỳ năm trước vào tháng 8/2026 lên tới 2.434%, điều này cung cấp nền tảng vững chắc cho nhu cầu bộ nhớ toàn cầu tiếp tục tăng cao.

Citigroup đưa ra giải thích rõ ràng về hiện tượng phi quy chuẩn hóa HBM (de-specification) gần đây trong ngành: đây là động thái tối ưu hiệu quả tài nguyên của các nhà sản xuất chip AI dưới bối cảnh cung HBM bị thắt chặt, chứ không phải dấu hiệu của nhu cầu chững lại ở đầu cuối.

Citigroup dự kiến, nhu cầu vị trí HBM sẽ tăng mạnh 62% so với cùng kỳ lên 75,157 tỷ Gb vào năm 2027 và tăng tiếp 69% lên 126,990 tỷ Gb vào năm 2028, đều gấp đôi dự đoán trước đó. Các bên thúc đẩy nhu cầu không chỉ có Nvidia mà cả Broadcom, Google cùng các nhà sản xuất ASIC — trong đó, dự báo nhu cầu HBM của Broadcom từ 9,002 tỷ Gb năm 2026 lên 41,003 tỷ Gb năm 2028, còn Google cùng kỳ từ 4,702 tỷ Gb lên 14,003 tỷ Gb.

Ở phía cung, Citigroup dự đoán công suất HBM toàn cầu tính theo năng suất đóng gói TSV sẽ tăng từ 420,000 tấm/tháng năm 2026 lên 700,000 tấm/tháng năm 2027. Tuy vậy, chênh lệch cung cầu vẫn duy trì ở mức cao: tỷ lệ S/D HBM năm 2027 dự kiến ở mức -21%, xấp xỉ -22% năm 2026 và giảm sâu lên -36% năm 2028 do sản lượng ASIC tăng tốc.

Theo Citigroup, thực chất phi quy chuẩn hóa là sự lựa chọn thực tế của các nhà sản xuất chip nhằm tối đa hóa lượng bộ gia tốc xuất xưởng trong điều kiện HBM cung hạn chế, không nên bị hiểu lầm là sự chuyển hướng của nhu cầu.

Citigroup dự báo, nhu cầu DRAM toàn cầu năm 2027 sẽ tăng 30,2% so với năm trước, nhưng tốc độ tăng nguồn cung chỉ 18,8%, tỷ lệ cung-cầu từ +0,5% năm 2026 rơi mạnh xuống -8,7% năm 2027 và tệ hơn -9,7% năm 2028.

Về phía cầu, nhu cầu DRAM dành cho máy chủ do học tập liên tục tăng trưởng nổi bật. Citigroup dự báo nhu cầu DRAM máy chủ từ 226,3 tỷ (tương đương 1Gb) năm 2026 lên 341,7 tỷ năm 2027, tăng 51% so với cùng kỳ, máy chủ tiếp tục chiếm khoảng 67% tổng nhu cầu DRAM. Trong khi đó, nhu cầu PC dự kiến khá trầm lắng, điện thoại di động phục hồi vừa phải.

Rào cản nguồn cung cũng rất rõ: một mặt, việc chiếm dụng công suất bởi HBM tiếp tục bóp nghẹt sản lượng DRAM phổ thông, sản lượng DRAM trung bình ngành năm 2027 dự báo chỉ tăng khoảng 8% lên 2,295 triệu tấm/tháng; mặt khác, tốc độ chuyển dịch công nghệ chậm lại khiến sản lượng vị tính trên mỗi tấm tăng chậm; ngoài ra, chu kỳ dài từ phê duyệt dự án đến sản xuất thực tế của các đầu tư mới (greenfield) có nghĩa là dù chi tiêu vốn đang tăng tốc, nguồn cung vẫn phản ứng rất chậm.

Citigroup dự báo giá trung bình hỗn hợp DRAM năm 2027 sẽ tăng 23,1% so với cùng kỳ, sau khi đã tăng phi mã 242,4% vào năm 2026, xu hướng tăng giá sẽ còn tiếp diễn nhưng biên độ sẽ bình thường hóa trở lại.

Cục diện cung cầu trên thị trường NAND cũng đối mặt với một sự thắt chặt đáng kể. Citigroup dự đoán nhu cầu NAND năm 2027 sẽ tăng 29,1% so với cùng kỳ, trong khi tốc độ tăng nguồn cung chỉ 21,2%, tỷ lệ S/D từ -0,8% năm 2026 giảm xuống -6,1% năm 2027 và duy trì -5,5% năm 2028.

eSSD là động lực tăng trưởng quan trọng nhất của nhu cầu NAND. Citigroup dự kiến nhu cầu eSSD năm 2027 sẽ tăng 52,9% so với cùng kỳ (tốc độ toàn ngành SSD là 45,0%), với ba lý do: Thứ nhất, số lượng HBM gắn trên mỗi bộ gia tốc giảm buộc nhiều workload bộ đệm KV phải chuyển ra lưu trữ ngoài; thứ hai, workload AI ngày càng phức tạp kéo theo sự gia tăng bộ nhớ QLC eSSD dung lượng lớn trên máy chủ AI; thứ ba, xu hướng giảm tải bộ đệm KV của Nvidia và sự thay thế HDD bằng SSD trong các trung tâm dữ liệu AI ở Trung Quốc tạo thêm không gian tăng trưởng nhu cầu.

Giới hạn phía cung cũng rất đáng chú ý. Citigroup dự đoán sản lượng trung bình ngành NAND năm 2027 chỉ tăng nhẹ 3,2% lên 1,460 triệu tấm/tháng, sản lượng của Samsung thậm chí giảm 4,7%, còn cả SK Hynix và Micron đều gần như không đổi. Nguyên nhân chính là các công ty đang ưu tiên dành nhiều nguồn lực hơn cho mở rộng DRAM/HBM mới, trong khi đầu tư gia tăng vào NAND vẫn rất thận trọng.

Về giá cả, Citigroup dự kiến giá trung bình hỗn hợp NAND năm 2027 sẽ tăng 45,3% so với cùng kỳ, tiếp nối xu hướng tăng mạnh 236,2% năm 2026, dù nhịp tăng giá đã phần nào chậm lại.

Citigroup dự đoán chi tiêu vốn toàn cầu cho bộ nhớ (DRAM+NAND) năm 2027 sẽ tăng mạnh 46,5% lên 80,4 tỷ USD, tăng tốc rõ rệt so với 54,9 tỷ USD năm 2026.

Chi tiêu vốn DRAM dự kiến tăng 51,6% lên 58,6 tỷ USD, dẫn đầu bởi Samsung Electronics (20,6 tỷ USD), SK Hynix (17,5 tỷ USD) và Micron (15,8 tỷ USD). Tuy nhiên, Citigroup nhấn mạnh, phần lớn các khoản đầu tư DRAM mới vẫn sẽ đổ vào mở rộng công suất HBM và công nghệ DRAM tiên tiến, tác động thực tế đến nguồn cung DRAM phổ thông sẽ rất hạn chế.

Chi tiêu vốn NAND dự kiến tăng 34,2% lên 21,8 tỷ USD, trong đó Samsung Electronics được dự báo đầu tư 7,9 tỷ USD, Kioxia 3,7 tỷ USD, SK Hynix 3,1 tỷ USD, Sandisk 2,9 tỷ USD và Micron 2,1 tỷ USD.

Citigroup chỉ ra rằng, mặc dù quy mô chi tiêu vốn tăng mạnh, nhưng với thời gian mở rộng công suất các dự án mới (greenfield) kéo dài, mức đầu tư cao hơn vẫn không đủ lấp đầy khoảng thiếu hụt cung-cầu cho năm 2027. Trên cơ sở này, Citigroup mở rộng nhận định về tình trạng thiếu hụt cung cầu bộ nhớ toàn cầu đến năm 2031, đồng thời nhấn mạnh học tập liên tục và sự phát triển quy mô của AI cá nhân/AI vật lý sẽ là động lực cốt lõi cho kịch bản thiếu hụt nguồn cung mang tính cấu trúc lâu dài này.