「持續學習」的AI將把記憶體「供不應求」延伸至2031年？

AI記憶能力的結構性躍升，正將全球記憶體市場推向一個持續數年的供應短缺週期。

據追風交易台消息，花旗在9月14日的報告中表示，隨著AI從單純的訓練與推理階段邁入「持續學習」時代，HBM、伺服器DDR5及企業級固態硬碟（eSSD）的需求將自2027年起同步爆發性增長。花旗預計，DRAM供需比（S/D ratio）將於2027年與2028年分別惡化至-8.7%及-9.7%，NAND同期供需比亦將降至-6.1%及-5.5%，供需失衡態勢可望持續延伸至2031年。

在需求急速攀升的同時，供給端受制於HBM產能佔用與技術遷移放緩，擴產步伐遠遠落後於需求。花旗據此預計，2027年全球記憶體資本支出將同比大增46.5%至804億美元，但受制於產能建設的漫長交期，即使大規模投資也難以填補供需缺口。

花旗研究指出，「持續學習」（Continual Learning）將是未來五年AI領域的核心主題。與目前AI模型在訓練後固化參數的模式不同，持續學習允許模型在運行中不斷吸收新知識，同時保留此前習得的資訊。

這一方法的核心挑戰在於平衡新知識的學習與防止「災難性遺忘」。為此，AI系統需要持續進行模型更新，同時保持對歷史數據的高效訪問——兩者皆對記憶體提出顯著更高的要求。

從AI工作負載演進的歷史軌跡來看，2022年至2025年上半年主要以AI訓練週期為主，HBM需求強勁，而傳統DRAM及NAND則相對平淡；2025年下半年起，推理複雜度上升帶動伺服器DDR5及eSSD需求快速增長，市場對HBM的關注則略有降溫。

花旗認為，自2027年起將進入持續學習的第一階段，HBM、伺服器DRAM、SoCAMM2及eSSD的需求將同步擴張；至2028年下半年，隨著個人AI與實體AI（Physical AI）的興起，需求版圖還將進一步擴展至邊緣端裝置記憶體。

值得注意的是，AI token月度使用量的增長呈現出近乎完美的指數曲線，月環比複合增速達31%，2026年8月同比增速高達2434%，這為整體記憶體需求的持續高增長提供了強有力的底層支撐。

花旗對近期業界關注的HBM「去規格化」（de-specification）現象給出了明確解讀：這是AI晶片廠商在HBM供給受限背景下的資源效率最佳化行為，而並非終端需求走弱的信號。

花旗預計，HBM位需求將於2027年同比激增62%至7515.7億Gb，2028年更將大幅躍升69%至12699.0億Gb，皆為此前預測值的兩倍。需求驅動方不只Nvidia，還涵蓋Broadcom、Google等ASIC製造商——其中Broadcom的HBM需求預測自2026年的900.2億Gb擴大至2028年的4100.3億Gb，Google同期自470.2億Gb增至1400.3億Gb。

在供給側，花旗預計2027年HBM產能（以TSV封裝產能計）將自2026年的42萬片/月擴張至70萬片/月。但即便如此，供需缺口仍將維持在高位：2027年HBM S/D比率預計為-21%，與2026年的-22%基本持平，至2028年因ASIC出貨量加速進一步惡化至-36%。

花旗認為，去規格化本質上是晶片廠商在有限HBM供給下最大化加速器出貨量的務實選擇，不應被解讀為需求轉向。

花旗預計，2027年全球DRAM需求將同比增長30.2%，但供給增速僅為18.8%，供需比由2026年的+0.5%驟降至-8.7%，2028年進一步惡化至-9.7%。

需求端，持續學習帶動的伺服器DRAM需求增長尤為突出。花旗預測伺服器DRAM需求將自2026年的2263億個（1Gb當量）躍升至2027年的3417億個，同比增長51%，伺服器將繼續佔據DRAM總需求約67%的份額。相較之下，PC需求料保持相對平淡，手機需求則溫和復甦。

供給端限制因素同樣明確：一方面，HBM產能佔用持續擠壓通用DRAM的晶圓產能，2027年產業平均DRAM晶圓產能僅預期增長約8%至229.5萬片/月；另一方面，技術節點遷移放緩限制了單位晶圓的位產出增速；此外，綠地產能從立項到量產的漫長週期意謂即使資本開支已在加速，供給響應也將有時滯。

花旗預測2027年DRAM混合均價將同比上漲23.1%，在經歷2026年高達242.4%的異常漲幅後，價格上行趨勢仍將延續，但漲幅將趨於正常化。

NAND市場的供需格局同樣面臨實質性收緊。花旗預計2027年NAND需求同比增長29.1%，而供給增速僅為21.2%，S/D比率自2026年的-0.8%驟降至-6.1%，2028年維持在-5.5%。

eSSD是NAND需求增長的最核心驅動力。花旗預測2027年eSSD需求同比增速高達52.9%（SSD整體增速為45.0%），其核心邏輯有三：其一，HBM每顆加速器搭載量下降迫使更多KV快取工作負載向外部儲存遷移；其二，AI推理工作負載不斷複雜化，推動高容量QLC eSSD在AI伺服器端的滲透；其三，Nvidia的KV Cache卸載趨勢及中國AI數據中心以SSD取代HDD的趨勢，為需求額外提供上行空間。

供給側的掣肘同樣值得關注。花旗預計2027年產業平均NAND晶圓產能僅小幅增長3.2%至146.0萬片/月，三星電子的NAND產能甚至預計下降4.7%，SK海力士和美光則基本持平。主要原因在於，各大廠商正將更多資源傾斜至DRAM/HBM的綠地擴產，對NAND增量投資態度審慎。

NAND價格方面，花旗預計2027年NAND混合均價將同比上漲45.3%，延續2026年236.2%漲幅之後的上行態勢，儘管漲幅有所放緩。

花旗預測2027年全球記憶體資本支出（DRAM+NAND）將同比大幅增加46.5%至804億美元，較2026年的549億美元明顯加速。

DRAM資本支出預計同比增長51.6%至586億美元，由三星電子（206億美元）、SK海力士（175億美元）及美光（158億美元）領銜。但花旗強調，增量DRAM投資中相當大比例仍將流向HBM產能和先進DRAM製程，對通用DRAM供給的實際緩解效果有限。

NAND資本支出預計同比增長34.2%至218億美元，其中三星電子預計投入79億美元，Kioxia 37億美元，SK海力士31億美元，Sandisk 29億美元，美光21億美元。

花旗指出，儘管資本支出規模大幅躍升，但鑒於綠地投資產能擴建的漫長交期，更高的支出水準仍不足以彌補2027年的供需缺口。以此為基礎，花旗對全球記憶體供需失衡局勢的判斷延伸至2031年，並認為持續學習與個人AI/實體AI的規模化落地將成為這一超長期結構性供應短缺的核心支撐。