馬斯克談芯片生產：中國規模化製造能力往往超過全球其他地區總和

馬斯克對中國製造業規模化能力的最新表態，在晶片產業已引發的競爭焦慮上再添一把火。

隔夜，中國儲存晶片廠商長鑫儲存的最新技術突破消息，衝擊了美股晶片板塊——費城半導體指數週一下跌2.7%，創三週新低。Micron、SanDisk、SK海力士ADR等記憶體晶片相關個股領跌，市場對中國廠商加速切入高毛利AI伺服器記憶體市場的擔憂情緒明顯升溫。

針對這一走勢，AI 分析師 Melvin 表示他完全無法理解這波記憶體股的拋售潮，認為市場反應過度，拋售並不合理。

隨後，馬斯克在社交平台X上發文回應稱，一旦中國掌握某種產品的製造方法，其規模化能力往往超過全球其他地區的總和，並以鋰電池和太陽能為例加以佐證。他同時對中國在記憶體晶片領域的追趕速度表達了明確關切，認為LP5和LP6等通用標準規格「中國似乎正在快速攻克」。

馬斯克：中國規模化能力是系統性優勢

馬斯克在貼文中將中國的製造規模化能力定性為一種系統性優勢，而非個案現象。他寫道：「當中國弄清楚如何製造一種產品時，其規模化能力往往超過世界其他地區的總和。我們在鋰電池和太陽能領域已經見證了這一點。」

他以SpaceX為參照，指出SpaceX是少數例外之一——其入軌質量大約比世界其他所有運載火箭加起來高出一個數量級。但他隨即補充，即便如此，中國目前已佔據非SpaceX入軌質量的大部分份額，「SpaceX是矩陣中的異常值」。

在記憶體晶片領域，馬斯克的判斷更為直接。他表示，RAM三年前還只是一種低利潤大宗商品，而LP5和LP6採用通用標準設計，「中國似乎正在快速解決」。他同時指出，更新一代的HBM架構、邏輯層下方的SRAM層，以及在邏輯層上方進行3D堆疊RAM同時解決散熱問題，將是更難攻克的技術挑戰。

長鑫儲存技術突破觸發市場拋售

馬斯克的表態並非憑空而來。就在此前週末，長鑫儲存總裁曹堪宇博士在行業活動上宣布，公司在下一代4F²儲存單元架構上取得關鍵進展，並計劃於2026年底前推出基於該架構的DDR5伺服器記憶體產品。

4F²架構的核心優勢在於儲存單元面積更小。傳統DRAM常見的6F²架構中，F代表工藝最小線寬，而4F²設計理論上可在單位面積內容納約多三分之一的位元數，從而降低單位成本，並更適合用於AI伺服器所需的大容量記憶體。曹堪宇表示，該設計採用專有的垂直環繞柵極晶體管以抑制漏電，直接指向高毛利的AI伺服器DRAM市場。

這一消息令市場對中國廠商加速滲透高端儲存晶片市場的擔憂驟然升溫，成為週一晶片股集體下挫的直接導火索。科技股成為週一美股表現最差的板塊，記憶體晶片相關個股首當其衝。Micron跌破1000美元關口，最終收跌約4%；SanDisk收跌近6%；SK海力士ADR與Super Micro Computer均跌超4%；Seagate Technology跌超3%；Quantum跌超9%；Corning亦大幅下挫。

市場的拋售邏輯清晰：若中國廠商能夠以更低成本、更大規模切入此前由美韓企業主導的高端儲存晶片市場，相關企業的利潤空間將面臨實質性壓縮。馬斯克的公開表態，在一定程度上強化了投資者對這一競爭格局演變的預期。