高盛存儲專家會：產能擴張「遠水難解近渴」，DRAM漲價或持續至2028年，HBM明年均價預計暴漲122%

儲存晶片市場供需格局正向領頭廠商傾斜，漲價週期或比市場預期更長。

高盛於10月27日舉辦TrendForce儲存產業專家網路研討會。TrendForce專家在會上表示，DRAM供給將在整個2027年維持緊張態勢，價格上漲週期有望延續至2028年上半年；HBM混合均價預計2027年同比大漲122%至每Gb 3.7美元，帶動HBM產業收入成長逾230%，突破2,000億美元。

產能擴張面臨潔淨室空間不足及設備交貨期過長等結構性限制，TrendForce判斷2028年前難以實現有效供給增量，這一瓶頸為價格上行提供了持續支撐。與此同時，中國HBM供應商短期內競爭威脅有限，預計2027年合計市場份額不足2%。

TrendForce預計，伺服器需求保持強勁、供給增量受限，將在未來數個季度持續推動DRAM均價上行，儘管消費端需求偏弱構成一定拖累。

長期協議（LTA）覆蓋率達到60%至70%，可能使2027年價格漲幅趨於溫和。但TrendForce指出，超出協議鎖定量的增量需求仍可通過協商以更高價格成交，整體定價重心仍向上偏移。綜合各項因素，TrendForce目前預計DRAM價格將持續上漲至2028年上半年。

TrendForce預計，HBM混合均價將於2027年同比上漲122%至每GB 3.7美元，推動HBM產業收入同比增長逾230%，超過2,000億美元。

價格分化將相當明顯。TrendForce表示，HBM4高階定價可能超過每GB 5美元，低端則接近每GB 3美元，供應商與客戶間的議價結果差異顯著。8層堆疊HBM4由於單位記憶體基礎晶片成本更高，較12層堆疊產品每比特溢價預計在5%至10%之間；HBM4E的定價則可能大幅高於HBM4。

高盛在報告中表示，上述判斷與其本身預測基本一致——該行目前估計主要供應商明年HBM均價同比漲幅為100%至160%。

儘管領頭廠商資本支出計畫積極，TrendForce仍認為2028年前難以實現有效的DRAM產能增量，主要瓶頸在於潔淨室空間不足及半導體設備交貨期過長。

TrendForce預計，每家韓國廠商2027年可新增8萬至10萬片每月晶圓產能（WPM）。但三星電子的新增產能預計將大部分用於HBM，傳統DRAM的比特成長主要仰賴製程遷移推動。設備供應狀況有望自2027年下半年起逐步改善，新晶圓廠對供給的實質貢獻預計要到2028年才會顯現。TrendForce同時強調，供應商也可能根據需求前景主動調控擴產節奏。

TrendForce表示，Google正成為HBM需求成長的重要推動力。隨著TPU在Google資料中心的部署比例持續提升，HBM3E的比特需求明年有望獲得支撐，代表HBM需求將跨世代分布，而非集中於HBM4及HBM4E。

與此同時，由於HBM4定價溢價顯著，TrendForce預計HBM4將占2027年HBM產業收入近60%。

TrendForce認為，儘管中國儲存廠商持續加大產能與技術投入，其與領先供應商在技術能力與良率方面仍存在相當差距，短期內對全球HBM市場構成的競爭風險有限。

高盛重申對三星電子普通股及優先股的買進評級，12個月目標價分別為50萬韓元和38萬韓元，估值基於2026至2027年預期EV/EBITDA的分類加總（SOTP）方法。

SK海力士目標價為350萬韓元，基於2026至2027年平均預期市盈率（P/E），對應9.0倍目標估值倍數，同樣維持買進評級。